[发明专利]一种阵列基板及其制备方法、显示面板

说明书

本发明涉及一种阵列基板及其制备方法、显示面板，其中所述阵列基板包括衬底以及设置于所述衬底上的有源层，其中所述有源层采用的材料包括λ‑Ti3O5晶体材料。首先，本发明采用λ‑Ti3O5晶体材料替代Poly–Si材料制备阵列基板中的有源层，避免P‑Si材料成膜温度较高，易受可见光影响，产生光电流，影响TFT开关关态电流大小，从而影响画面质量等问题；更进一步的，本发明还通过干法刻蚀或者激光辐照的方式将有源层的两侧部的材料由λ‑Ti3O5晶体材料转换成β‑Ti3O5晶体材料，从而提升迁移率，降低光感电流，提高其电学性能。

技术领域

本发明涉及显示技术领域，具体涉及一种阵列基板及其制备方法、显示面板。

背景技术

有机发光显示装置(英文全称：Organic Light-Emitting Diode,简称OLED)又称为有机电激光显示装置、有机发光半导体。OLED的基本结构是由一薄而透明具有半导体特性的铟锡氧化物(ITO)与电力之正极相连，再加上另一个金属阴极，包成如三明治的结构。整个结构层中包括了:空穴传输层(HTL)、发光层(EL)与电子传输层(ETL)。当电力供应至适当电压时，正极空穴与阴极电荷就会在发光层中结合，在库伦力的作用下以一定几率复合形成处于激发态的激子(电子-空穴对)，而此激发态在通常的环境中是不稳定的，激发态的激子复合并将能量传递给发光材料，使其从基态能级跃迁为激发态，激发态能量通过辐射驰豫过程产生光子，释放出光能，产生光亮，依其配方不同产生红、绿和蓝RGB三基色，构成基本色彩。

首先OLED的特性是自己发光，不像薄膜晶体管液晶显示装置(英文全称：Thinfilm transistor-liquid crystal display，简称TFT-LCD)需要背光，因此可视度和亮度均高。其次OLED具有电压需求低、省电效率高、反应快、重量轻、厚度薄，构造简单，成本低、广视角、几乎无穷高的对比度、较低耗电、极高反应速度等优点，已经成为当今最重要的显示技术之一，正在逐步替代TFT-LCD，有望成为继LCD之后的下一代主流显示技术。

目前OLED显示装置的阵列基板中的有源层通常采用Poly–Si制成。具体的，有源层的制备方法为PECVD方式沉积A-Si,然后通过ELA等方法使其晶体化，最后通过P+掺杂以达到其技术要求。由此可见Poly–Si的制作技术要求高、工序复杂、且P-Si成膜温度较高，易受可见光影响，产生光电流，影响TFT开关关态电流大小，从而影响画面质量。因此需要寻求一种新型的有源层已解决上述问题。

发明内容

本发明的一个目的是提供一种阵列基板及其制备方法、显示面板，其能够解决目前的阵列基板中Poly–Si材料的制作技术要求高、工序复杂、且P-Si材料成膜温度较高，易受可见光影响，产生光电流，影响TFT开关关态电流大小，从而影响画面质量等问题。

为了解决上述问题，本发明的一个实施方式提供了一种阵列基板，其中包括衬底以及设置于所述衬上的有源层，其中所述有源层采用的材料包括λ-Ti3O5晶体材料。

进一步的，其中所述有源层包括：主体部和两侧部。其中所述主体部采用的材料包括λ-Ti3O5晶体材料；所述两侧部采用的材料包括β-Ti3O5晶体材料。

本发明的另一个实施方式提供了一种制备本发明所涉及的阵列基板的制备方法，其中包括：

步骤S1，提供一衬底，在所述衬底形成一层λ-Ti3O5晶体材料；

步骤S2，对所述λ-Ti3O5晶体材料进行退火处理进而形成所述有源层。

进一步的，其中所述步骤S1中，通过蒸镀方式在所述衬底上形成一层λ-Ti3O5晶体材料。

进一步的，其中所述步骤S2中，所述退火包括激光退火、低温退火中的一种或多种。

进一步的，其中所述低温退火的温度范围为100-300℃。