[发明专利]遮蔽构件和单晶生长装置

说明书

本发明的遮蔽构件被配置于单晶生长装置中，所述单晶生长装置具备晶体生长用容器和加热部，所述晶体生长用容器具备位于内底部的原料收纳部、以及与所述原料收纳部相对的晶体设置部，所述加热部对所述晶体生长用容器进行加热，所述单晶生长装置使原料从所述原料收纳部升华并在设置于所述晶体设置部的晶体上生长所述原料的单晶，所述遮蔽构件配置于所述原料收纳部与所述晶体设置部之间，所述遮蔽构件具备多个遮蔽板，在从所述晶体设置部俯视时，所述多个遮蔽板没有间隙地排列。

技术领域

本发明涉及遮蔽构件和单晶生长装置。

本申请基于2018年5月1日在日本提出申请的专利申请2018-088247号主张优先权，将其内容引用于此。

背景技术

碳化硅(SiC)与硅(Si)相比绝缘击穿电场大1位、且带隙大3倍。另外，碳化硅(SiC)具有与硅(Si)相比热传导率高3倍左右等特性。期待碳化硅(SiC)对于功率器件、高频器件、高温工作器件等的应用。

半导体等器件使用在SiC晶片上形成了外延膜的SiC外延晶片。采用化学气相生长法(Chemical Vapor Deposition：CVD)设置在SiC晶片上的外延膜成为SiC半导体器件的活性区域。SiC晶片是对SiC锭加工得到的。

SiC锭是通过采用升华再结晶法等方法对籽晶进行晶体生长而得到的。升华法中如果在原料与生长面之间产生温度差，则从原料升华出的原料气体向生长面高效地供给，促进晶体生长。但是，生长面与原料相对，从而受到来自原料的辐射。因此，在原料与生长面之间难以产生温度差。

专利文献1中记载了在原料与生长面之间设置遮蔽构件。通过遮蔽构件来抑制从原料向生长面的辐射，在原料与生长面之间产生温度差。

现有技术文献

专利文献1：日本特开2000-264795号公报

发明内容

近年，大型(6英寸以上)的SiC晶片的需求不断提高。例如，如果使用专利文献1记载的遮蔽构件制作大型SiC锭，则需要使用直径大的遮蔽构件。但是，直径大的遮蔽构件会阻碍原料气体的流动。如果原料气体难以向生长面的中央部供给，则会阻碍均质的晶体生长。

本发明是鉴于上述问题完成的，其目的在于提供一种遮蔽构件和具备该遮蔽构件的单晶生长装置，能够抑制原料气体流动被阻碍的情况，产生原料面与生长面的温度差。

发现通过将多个遮蔽板在俯视时没有间隔地配置，能够在各自的遮蔽板之间的间隙确保原料气体流路，同时有效地抑制来自原料面的辐射。

即，本发明为了解决上述课题，提供以下手段。

(1)第1方案的遮蔽构件，配置于单晶生长装置中，所述单晶生长装置具备晶体生长用容器和加热部，所述晶体生长用容器具备位于内底部的原料收纳部、以及与所述原料收纳部相对的晶体设置部，所述加热部对所述晶体生长用容器进行加热，所述单晶生长装置使原料从所述原料收纳部升华并在设置于所述晶体设置部的晶体上生长所述原料的单晶，所述遮蔽构件配置于所述原料收纳部与所述晶体设置部之间，所述遮蔽构件具备多个遮蔽板，在从所述晶体设置部俯视时，所述多个遮蔽板没有间隙地排列。

第1方案的遮蔽构件优选包含以下特征。也优选组合以下所示特征的1个以上。

(2)上述方案的遮蔽构件可以具备连接部和支持部，所述连接部连接所述多个遮蔽板，所述支持部支持所述连接部。

(3)上述方案的遮蔽构件中，所述连接部可以位于俯视中央。

(4)上述方案的遮蔽构件中，可以是：所述多个遮蔽板之中相邻遮蔽板的相邻面相对于从所述晶体设置部下垂到所述原料收纳部的垂线方向倾斜，位于所述相邻遮蔽板之间的间隙相对于所述垂线方向倾斜。