[发明专利]一种提升LED芯片漏电良率的方法

说明书

本发明公开了一种提升LED芯片漏电良率的方法，其包括：提供衬底，形成外延层，MESA刻蚀，涂覆微隙渗透层，沉积钝化层，退火，以使所述微隙渗透层与钝化层相互堆叠，形成漏电阻挡层，清洗去除第二半导体层表面的漏电阻挡层，形成电极，得到低漏电率LED芯片成品。本发明还公开了一种采用上述方法制备的低漏电率LED芯片。本发明在外延层上设置了漏电阻挡层，有效防止了形成透明导电层与电极过程中ITO和电极金属通过外延缺陷进入外延层中造成的LED芯片表面漏电问题。

技术领域

本发明涉及发光二极管技术领域，尤其涉及一种提高LED芯片漏电良率的方法。

背景技术

发光二极管(LED)是一种能够将电能转化为可见光的固态的半导体器件，作为照明器件，相对传统照明器件，发光二极管有相当大的优势——寿命长、光效高、无辐射、低功耗、绿色环保。目前LED主要用于显示屏、指示灯、背光源等领域。漏电不良会降低芯片的能耗，使得操作温度上升，进而造成组件的烧毁，因此，如何改善漏电，提高产品的效能，就成为当务之急。

造成LED芯片漏电的主要原因是在LED晶片外延过程之中存在缺陷。具体的，在形成量子阱的过程之中，需要大量的In，而由于In与Ga原子之间存在晶格差异，导致在外延层表面会形成V型缺口；在LED芯片的后续制程中，透明导电层以及电极金属在蒸镀的过程中容易进入这种缺口，造成表面漏电问题，导致LED芯片整体良率下降。

发明内容

本发明所要解决的技术问题在于，提供一种提升LED芯片漏电良率的方法，其可有效防止电极金属进入外延层缺陷，造成表面漏电问题，提升LED芯片整体良率。

本发明还要解决的技术问题在于，提供一种低漏电率的LED芯片。

为了解决上述技术问题，本发明提供了一种提升LED芯片漏电良率的方法，其包括：

(1)提供一衬底；

(2)在所述衬底上形成外延层，所述外延层包括第一半导体层、有源层和第二半导体层；

(3)对所述外延层进行MESA刻蚀，暴露出第一半导体层；

(4)在第二半导体层上涂覆微隙渗透层；

(5)在所述微隙渗透层上沉积钝化层；

(6)沉积完成后进行退火，以使所述微隙渗透层与钝化层相互堆叠，形成漏电阻挡层；

(7)采用清洗剂清洗；去除第二半导体层表面的漏电阻挡层；

(8)在所述第一半导体层上形成第一电极；在所述第二半导体层上形成第二电极；得到低漏电率LED芯片成品。

作为上述技术方案的改进，所述微隙渗透层由甲醇、乙醇、异丙醇、丙酮中的一种或几种制成；

步骤(2)中，采用旋涂仪在第二半导体层表面涂覆微隙渗透层。

作为上述技术方案的改进，所述钝化层由SiO₂、SiN_x、Al₂O₃、TiO₂、Ti₂O₅中的一种或几种制成；

步骤(3)中，采用等离子化学气相沉积法沉积所述钝化层，沉积温度为80-150℃。

作为上述技术方案的改进，步骤(6)中，退火温度为100-550℃，退火时间为0.3-1h。

作为上述技术方案的改进，步骤(7)包括：

(7.1)将退火后的LED芯片置入清洁剂浸泡5-10分钟；

(7.2)采用纯水冲洗并烘干。