[发明专利]可编程电荷存储晶体管、存储器单元和形成绝缘体材料的方法

权利要求书

1.一种形成Si₃N_x的方法，其中“x”小于4且至少为3，所述方法包括：

在具有100到500毫托的腔室压力的腔室内，将包括Si的前体分子分解为彼此不同的至少两个分解物质，所述至少两个不同分解物质中的至少一个包括Si；

在分解所述Si的前体分子后，使外部衬底表面与所述至少两个分解物质接触，其中包括Si的所述分解物质中的至少一个附着到所述外部衬底表面以包括附着物质；以及

在使所述外部衬底表面接触后，使所述附着物质与包括N的前体接触，所述包括N的前体与所述附着物质反应以形成包括Si₃N_x的反应产物，其中“x”小于4且至少为3。

2.根据权利要求1所述的方法，其中所述分解包括所述包括Si的前体分子在至少500℃的温度下的热分解。

3.根据权利要求2所述的方法，其中所述分解基本上由热分解组成。

4.根据权利要求1所述的方法，其包括使包括Si的所述分解物质中的所述至少一个附着到所述附着物质。

5.根据权利要求1所述的方法，其中所述分解在所述外部衬底表面正上方发生。

6.根据权利要求1所述的方法，其包括重复权利要求1中的方法步骤。

7.根据权利要求1所述的方法，其中所述包括Si的前体分子包括硅烷。

8.根据权利要求7所述的方法，其中所述硅烷包括氯硅烷。

9.一种形成Si₃N_x的方法，其中“x”小于4且至少为3，所述方法包括：

将四氯化硅分解为彼此不同的至少两个分解物质，所述至少两个不同分解物质中的至少一个包括Si；

在分解所述Si的前体分子后，使外部衬底表面与所述至少两个分解物质接触，其中包括Si的所述分解物质中的至少一个附着到所述外部衬底表面以包括附着物质；以及

在使所述外部衬底表面接触后，使所述附着物质与包括N的前体接触，所述包括N的前体与所述附着物质反应以形成包括Si₃N_x的反应产物，其中“x”小于4且至少为3。

10.根据权利要求1所述的方法，其中所述包括N的前体包括氨。

11.根据权利要求1所述的方法，其包括在所述接触中的至少一个期间还使所述外部衬底表面与N₂接触。

12.根据权利要求11所述的方法，其包括在所述接触两者期间使所述外部衬底表面与N₂接触。

13.根据权利要求1所述的方法，其中所述反应产物中的“x”至少为3.5。

14.根据权利要求1所述的方法，其中所述反应产物中的“x”不超过3.90。

15.根据权利要求1所述的方法，其中所述反应产物中的“x”为3.75。