[发明专利]掩膜版的结构及形成方法

权利要求书

1.一种掩膜版，其特征在于，包括：

基板，所述基板包括透光区和非透光区；

位于非透光区表面的挡光层；

位于挡光层表面的吸附层，所述挡光层和吸附层暴露出所述透光区。

2.如权利要求1所述的掩膜版，其特征在于，所述吸附层的材料包括多孔材料，所述多孔材料包括多孔碳材料。

3.如权利要求2所述的掩膜版，其特征在于，所述多孔碳材料包括石墨烯或碳纳米管。

4.如权利要求1所述的掩膜版，其特征在于，所述基板的材料包括石英玻璃或苏打玻璃。

5.如权利要求1所述的掩膜版，其特征在于，所述基板的透光率大于或等于85％。

6.如权利要求1所述的掩膜版，其特征在于，所述挡光层的材料包括金属或金属的化合物；所述金属或金属的化合物包括铬、硅化钼、铬的氮氧化物或硅化钼的氮氧化物中的一种或多种。

7.如权利要求1所述的掩膜版，其特征在于，所述吸附层在基板表面具有第一投影，所述挡光层在基板表面具有第二投影，所述第一投影与所述第二投影重合。

8.如权利要求1所述的掩膜版，其特征在于，所述吸附层在基板表面具有第一投影，所述挡光层在基板表面具有第二投影，所述第一投影在所述第二投影的范围内，且所述第一投影的面积与第二投影的面积比为1/3～1/2。

9.如权利要求1所述的掩膜版，其特征在于，所述吸附层的厚度为20nm～80nm。

10.一种形成权利要求1至9任一项掩膜版的方法，其特征在于，包括：

提供基板，所述基板包括透光区和非透光区；

在所述非透光区表面形成挡光层和位于挡光层上的吸附层，所述挡光层和吸附层暴露出所述透光区。

11.如权利要求10所述的掩膜版形成方法，其特征在于，所述挡光层和吸附层的形成方法包括：在所述基板表面形成挡光膜；在所述挡光膜表面形成吸附膜；在所述吸附膜表面形成第一图形化层，所述第一图形化层暴露出部分吸附膜表面；以所述第一图形化层为掩膜，刻蚀所述吸附膜直至暴露出所述挡光膜表面，在挡光膜表面形成所述吸附层；以所述第一图形化层和吸附层为掩膜，刻蚀所述挡光膜直至暴露出基板表面，在基板非透光区表面形成所述挡光层和位于挡光层表面的吸附层。

12.如权利要求11所述的掩膜版形成方法，其特征在于，形成所述吸附膜的工艺包括：沉积工艺或旋涂工艺；刻蚀所述吸附膜和挡光膜的工艺包括各向异性干法刻蚀工艺；形成所述挡光膜的工艺包括：沉积工艺。

13.如权利要求10所述的掩膜版形成方法，其特征在于，所述挡光层和吸附层的形成方法包括：在所述基板表面形成挡光膜；在所述挡光膜表面形成吸附膜；在所述吸附膜表面形成第一图形化层，所述第一图形化层暴露出部分吸附膜表面；以所述第一图形化层为掩膜，刻蚀所述吸附膜直至暴露出所述挡光膜表面，在挡光膜表面形成初始吸附层；以所述第一图形化层和初始吸附层为掩膜，刻蚀所述挡光膜直至暴露出基板表面，在基板非透光区表面形成所述挡光层和位于挡光层表面的初始吸附层；在所述基板表面、挡光层的侧壁、以及初始吸附层的侧壁和表面形成第二图形化层，所述第二图形化层暴露出部分初始吸附层的表面；以所述第二图形化层为掩膜，刻蚀所述初始吸附层，直至暴露出部分挡光层表面，在所述挡光层表面形成所述吸附层。

14.如权利要求13所述的掩膜版形成方法，其特征在于，刻蚀所述初始吸附层的工艺包括各向异性干法刻蚀工艺。