[发明专利]TFT阵列基板及显示面板有效
申请号: | 201910314782.9 | 申请日: | 2019-04-18 |
公开(公告)号: | CN110068970B | 公开(公告)日: | 2020-09-11 |
发明(设计)人: | 张留旗;韩佰祥 | 申请(专利权)人: | 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 |
主分类号: | G02F1/1345 | 分类号: | G02F1/1345;G02F1/1362;H01L27/32 |
代理公司: | 深圳市德力知识产权代理事务所 44265 | 代理人: | 林才桂;鞠骁 |
地址: | 518132 广东省深*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | tft 阵列 显示 面板 | ||
1.一种TFT阵列基板,其特征在于,包括衬底(10)、设于衬底(10)上的多个像素(20)、依次设于衬底(10)上的多条扫描线(30)及设于衬底(10)上的GOA电路(40);
所述多个像素(20)呈阵列式排布;所述GOA电路(40)位于多个像素(20)所在区域外侧;多条扫描线(30)均连接GOA电路(40),每一条扫描线(30)对应与一行像素(20)电性连接;每一像素(20)包括第一薄膜晶体管(T1),除了最后一行像素(20)外,第N行像素(20)中的第一薄膜晶体管(T1)的栅极电性连接第N+1条扫描线(GATE(N+1)),漏极电性连接第N条扫描线(GATE(N)),源极接入电源负电压(VSS),其中,N为正整数;
最后一行像素(20)中的第一薄膜晶体管(T1)的栅极接入起始信号(STV),漏极电性连接最后一条扫描线(GATE(last)),源极接入电源负电压(VSS)。
2.如权利要求1所述的TFT阵列基板,其特征在于,所述衬底(10)包括有效显示区(11)及位于有效显示区(11)外围的非显示区(12);所述多个像素(20)均位于有效显示区(11)内,所述GOA电路(40)位于非显示区(12)内。
3.如权利要求1所述的TFT阵列基板,其特征在于,还包括设于衬底(10)上的多条数据线(50),每一行像素(20)对应与一条数据线(50)电性连接。
4.如权利要求3所述的TFT阵列基板,其特征在于,每一像素(20)还包括第二薄膜晶体管(T2)、第一电容(C1)及像素电极(21);所述第二薄膜晶体管(T2)的栅极电性连接对应的扫描线(30),源极电性连接对应的数据线(50),漏极电性连接像素电极(21);所述第一电容(C1)的一端电性连接像素电极(21),另一端接地。
5.如权利要求3所述的TFT阵列基板,其特征在于,每一像素(20)还包括第三薄膜晶体管(T3)、第四薄膜晶体管(T4)、第二电容(C2)及阳极(22);所述第三薄膜晶体管(T3)的栅极电性连接对应的扫描线(30),源极电性连接对应的数据线(50),漏极电性连接第四薄膜晶体管(T4)的栅极;所述第四薄膜晶体管(T4)的漏极接入电源正电压(VDD),源极电性连接阳极(22);所述第二电容(C2)的一端电性连接所述阳极(22),另一端接地。
6.如权利要求1所述的TFT阵列基板,其特征在于,所述GOA电路(40)在一帧周期内依次向多条扫描线(30)传输扫描信号。
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