[发明专利]一种在低温下制备氧化镍纳米晶电致变色薄膜的方法

权利要求书

1.一种在低温下制备氧化镍纳米晶电致变色薄膜的方法，其特征在于，包括如下步骤：

(1)将镍盐溶于溶剂中，搅拌后得到澄清溶液，所述镍盐的物质的量浓度为0.1～1mol/L；

将草酸溶于溶剂搅拌后得到草酸溶液，所述草酸的物质的量浓度为0.1～1mol/L；

将草酸溶液以0.05～0.0625ml/s滴入澄清溶液中，充分搅拌形成浅蓝色浑浊液；

将浅蓝色浑浊液陈化放置1h以上；其中，所述溶剂为去离子水或乙醇；

(2)取陈化后的浅蓝色浑浊液，离心分离5～15min后，去除上清液，用溶剂进行洗涤，得到前驱体溶液；其中，所述溶剂为去离子水或乙醇；

(3)将前驱体溶液置于60～100℃的烘干设备中干燥6～24h，得到前驱体固体；

(4)将前驱体固体置于研磨设备中进行研磨后，放入360～400℃的热处理设备中煅烧20～90min，得到纳米晶粉体；

(5)将纳米晶粉体置于浓度为3～90mg/mL的分散液中进行分散，得到纳米晶分散液；所述分散液为水、乙醇或丙酮中的一种或几种；

(6)衬底的处理，步骤如下：

超声清洗处理：将衬底先后用洗涤剂、去离子水、丙酮和乙醇，在超声装置中分别进行清洗处理5～10min后，取出，用烘干设备烘干；

表面活性处理：将经过超声清洗处理后的衬底进行表面活性处理，备用；

(7)取纳米晶分散液通过涂膜工艺涂膜在处理好的衬底的透明导电层上，放入70～80℃的烘干设备中烘干12h以上，得到纳米晶电致变色薄膜。

2.根据权利要求1所述的一种在低温下制备氧化镍纳米晶电致变色薄膜的方法，其特征在于，步骤(1)中澄清溶液和草酸溶液的浓度按摩尔比计为0.1～1。

3.根据权利要求1所述的一种在低温下制备氧化镍纳米晶电致变色薄膜的方法，其特征在于，步骤(4)中得到的纳米晶粉体的粒径为4～100nm。

4.根据权利要求1所述的一种在低温下制备氧化镍纳米晶电致变色薄膜的方法，其特征在于，步骤(2)中所述的前驱体溶液中加入Li⁺、Cu²⁺或Al³⁺中的一种或几种。

5.根据权利要求1所述的一种在低温下制备氧化镍纳米晶电致变色薄膜的方法，其特征在于，步骤(5)中所述分散液中加入分散剂或增稠剂，其中增稠剂包含无机增稠剂、纤维素醚、天然高分子及其衍生物、合成高分子、络合型有机金属化合物或印花增稠剂中的一种或几种；分散剂包括纤维素醚、SN-5027分散剂或非离子型水溶性高分子(聚乙烯毗咯酮、聚醚衍生物或聚乙二醇)中的一种或几种。

6.根据权利要求1所述的一种在低温下制备氧化镍纳米晶电致变色薄膜的方法，其特征在于，步骤(6)中衬底为导电玻璃、柔性透明导电薄膜；所述导电玻璃为ITO导电玻璃、FTO导电玻璃和AZO导电玻璃；所述柔性透明导电薄膜为银纳米线柔性导电薄膜和ITO柔性透明导电薄膜。

7.根据权利要求1所述的一种在低温下制备氧化镍纳米晶电致变色薄膜的方法，其特征在于，步骤(7)中所述涂膜工艺为电沉积法、刮涂法、喷涂法。