[发明专利]图像传感器及其制作方法

权利要求书

1.一种图像传感器的制作方法，其特征在于，包括：

提供半导体衬底，所述半导体衬底中形成有感光元件和浮置扩散区；

在所述半导体衬底表面形成传输栅结构；

在所述半导体衬底以及传输栅结构表面形成图案化的阻挡层，所述图案化的阻挡层的开口对应于感光元件的部分区域和浮置扩散区；

以所述图案化的阻挡层为掩膜，刻蚀所述半导体衬底、感光元件的部分区域和浮置扩散区形成沟槽；

在所述沟槽内填充应力材料形成应力层，所述应力层在所述图像传感器的光电荷传输沟道产生张应力；

去除所述图案化的阻挡层。

2.如权利要求1所述的图像传感器的制作方法，其特征在于，所述应力材料为碳化硅。

3.如权利要求2所述的图像传感器的制作方法，其特征在于，所述碳化硅材料中C原子的原子百分比为10％至50％。

4.如权利要求1所述的图像传感器的制作方法，其特征在于，采用外延生长工艺在所述沟槽内填充应力材料。

5.如权利要求1所述的图像传感器的制作方法，其特征在于，所述应力层的厚度为0.1微米至0.8微米。

6.如权利要求1所述的图像传感器的制作方法，其特征在于，所述的半导体衬底为100晶向的晶圆。