[发明专利]电子照相用构件、处理盒和电子照相设备有效
申请号: | 201910317697.8 | 申请日: | 2019-04-19 |
公开(公告)号: | CN110389502B | 公开(公告)日: | 2023-10-03 |
发明(设计)人: | 有村秀哉;小松宏彰;山田真树 | 申请(专利权)人: | 佳能株式会社 |
主分类号: | G03G5/06 | 分类号: | G03G5/06;G03G5/09 |
代理公司: | 北京魏启学律师事务所 11398 | 代理人: | 魏启学 |
地址: | 日本东京都大*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 电子 照相 构件 处理 设备 | ||
1.一种电子照相用构件,其包括:导电性基体;和作为最外层的导电层,其特征在于,所述导电层含有A、B和C:
A具有含氮杂环阳离子结构的树脂;
B阴离子;和
C DBP吸收量为45ml/100g以上且90ml/100g以下和CTAB吸附比表面积为50m2/g以上且100m2/g以下的炭黑。
2.根据权利要求1所述的电子照相用构件,其中在所述导电层中,X、Y和Z满足下式(1):
其中X表示所述B的阴离子的质量,以g为单位,Y表示所述C的炭黑的CTAB吸附比表面积,以m2/g为单位,且Z表示所述C的炭黑的质量,以g为单位。
3.根据权利要求1所述的电子照相用构件,其中所述B的阴离子为选自双(三氟甲磺酰基)酰亚胺阴离子、双(五氟乙磺酰基)酰亚胺阴离子、双(九氟丁磺酰基)酰亚胺阴离子和N,N-六氟丙烷-1,3-二磺酰基酰亚胺阴离子中的任一者。
4.根据权利要求1所述的电子照相用构件,其中所述炭黑的挥发物含量为1.5%以上。
5.根据权利要求1所述的电子照相用构件,其中所述A的结构具有由结构式(1)和(2)表示的结构的任一者或二者:
其中R11~R15和R21~R26各自独立地选自以下a~c,且R11~R15中的至少之一为c和R21~R26中的至少之一为c,其中a为氢原子,b为具有1~6个碳原子的饱和烃基,且c为含有键合至树脂的部分的结构。
6.根据权利要求1所述的电子照相用构件,其中所述A的结构具有由结构式(3)和(4)表示的结构的任一者或二者:
其中R31~R35和R41~R46各自独立地选自以下a~c,且R31~R35中的两个为c和R41~R46中的两个为c,其中a为氢原子,b为具有1~6个碳原子的饱和烃基,且c为含有键合至树脂的部分的结构。
7.一种电子照相用构件,其包括:导电性基体;和作为最外层的导电层,其特征在于,
所述导电层含有A、B和C:
A具有阳离子结构的树脂;
B阴离子;和
C DBP吸收量为45ml/100g以上且90ml/100g以下和CTAB吸附比表面积为50m2/g以上且100m2/g以下的炭黑。
8.一种处理盒,将其构造为可拆卸地安装至电子照相设备的主体且具有选自由充电构件、显影构件和清洁构件组成的组中的至少之一,其特征在于,
所述充电构件、所述显影构件和所述清洁构件中的至少之一为根据权利要求1~7任一项所述的电子照相用构件。
9.一种电子照相设备,其包括选自由充电构件、显影构件和清洁构件组成的组中的至少之一,其特征在于,
所述充电构件、所述显影构件和所述清洁构件中的至少之一为根据权利要求1~7任一项所述的电子照相用构件。
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