[发明专利]一种TFET器件

权利要求书

1.一种TFET器件，包括衬底、晶化层、漏极、源极和栅极，所述的晶化层设置在所述的衬底的上端面上，所述的晶化层的下端面与所述的衬底的上端面固定连接，所述的漏极设置在所述的晶化层的上端面上，所述的漏极的下端面与所述的晶化层的上端面固定连接，其特征在于所述的漏极上设置有一个长方体形状的安装槽，所述的安装槽从所述的漏极的左端面开始向右延伸，所述的安装槽沿左右方向的长度小于所述的漏极沿左右方向的长度，所述的安装槽沿上下方向的高度等于所述的漏极沿上下方向的高度，所述的安装槽沿前后方向的长度小于所述的漏极沿前后方向的长度，所述的安装槽沿左右方向的中心线与所述的漏极沿左右方向的中心线所在直线重合，所述的源极设置在所述的安装槽内，且所述的源极的左端面与所述的漏极的左端面位于同一平面，所述的源极的上端面与所述的漏极的上端面位于同一平面，所述的源极的下端面与所述的漏极的下端面位于同一平面，所述的源极沿左右方向的长度等于所述的安装槽沿左右方向的长度，所述的源极沿前后方向的长度等于所述的漏极沿前后方向的长度；

所述的栅极包括两个相同的栅介质层和两个相同的栅极材料层，所述的栅介质层和所述的栅极材料层均为长方体形状，将两个所述的栅介质层分别称为第一栅介质层和第二栅介质层，将两个所述的栅极材料层分别称为第一栅极材料层和第二栅极材料层，所述的第一栅介质层设置在所述的漏极的前侧，且所述的第一栅介质层的后端面与所述的漏极的前端面贴合连接，所述的第一栅极材料层设置在所述的第一栅介质层的前侧，且所述的第一栅极材料层的后端面与所述的第一栅介质层的前端面贴合连接，所述的第二栅介质层设置在所述的漏极的后侧，且所述的第二栅介质层的前端面与所述的漏极的后端面贴合连接，所述的第二栅极材料层设置在所述的第二栅介质层的前侧，且所述的第二栅极材料层的后端面与所述的第二栅介质层的前端面贴合连接。

2.根据权利要求1所述的一种TFET器件，其特征在于所述的衬底的材料为N型单晶硅，N型单晶硅的掺杂浓度为5*1018cm^-3，所述的晶化层的材料为Ge，所述的晶化层通过采用激光再晶化工艺处理形成，所述晶化层的厚度为200—300nm，所述的源极的掺杂材料为InAs，掺杂浓度为1*1019cm^-3；所述的漏极的掺杂材料为GaSb，掺杂浓度为1*1018cm^-3。

3.根据权利要求1所述的一种TFET器件，其特征在于所述的衬底的材料为N型单晶硅，N型单晶硅的掺杂浓度为5*1018cm^-3，所述的晶化层的材料为Ge，所述的晶化层通过采用激光再晶化工艺处理形成，所述晶化层的厚度为200—300nm，所述的源极的掺杂材料为AlInAsSb，掺杂浓度为1*1019cm^-3；所述的漏极的掺杂材料为GaAsSb，掺杂浓度为1*1018cm^-3。

4.根据权利要求1-3中任一项所述的一种TFET器件，其特征在于所述的衬底沿左右方向的长度等于所述的晶化层沿左右方向的长度，所述的衬底沿前后方向的长度等于所述的晶化层沿前后方向的长度，所述的漏极沿左右方向的长度等于所述的衬底沿左右方向的长度，所述的漏极沿前后方向的长度小于所述的衬底沿前后方向的长度，所述的第一栅介质层、所述的第二栅介质层、所述的第一栅极材料层和所述的第二栅极材料层沿左右方向的长度均相等且小于所述的漏极沿左右方向的长度，所述的第一栅介质层沿前后方向的长度等于所述的第二栅介质层沿前后方向的长度，所述的第一栅极材料层沿前后方向的长度等于所述的第二栅极材料层沿前后方向的长度，所述的第一栅介质层、所述的第二栅介质层、所述的第一栅极材料层和所述的第二栅极材料层沿上下方向的高度均等于所述的漏极沿上下方向的高度，所述的第一栅介质层的上端面、所述的第二栅介质层的上端面、所述的第一栅极材料层的上端面、所述的第二栅极材料层的上端面和所述的漏极的上端面位于同一平面，所述的第一栅极材料层的前端面、所述的晶化层的前端面与所述的衬底的前端面位于同一平面，所述的第二栅极材料层的后端面、所述的晶化层的后端面与所述的衬底的后端面位于同一平面，所述的衬底的左端面、所述的晶化层的左端面和所述的漏极的左端面位于同一平面，所述的衬底的右端面、所述的晶化层的右端面和所述的漏极的右端面位于同一平面，所述的第一栅介质层的左端面、所述的第二栅介质层的左端面、所述的第一栅极材料层的左端面和所述的第二栅极材料层的左端面位于同一平面，所述的第一栅介质层的右端面、所述的第二栅介质层的右端面、所述的第一栅极材料层的右端面和所述的第二栅极材料层的右端面位于同一平面，所述的第一栅介质层的左端面所在平面到所述的漏极的左端面所在平面之间的距离等于所述的第一栅介质层的右端面所在平面到所述的漏极的右端面所在平面之间的距离。