[发明专利]一种适用于激光测距的APD反向偏压温度自适应电路

权利要求书

1.一种适用于激光测距的APD反向偏压温度自适应电路，包括探测器电路，其特征在于：还包括MCU最小系统、反向偏压生成电路、温度检测电路，所述反向偏压生成电路、温度检测电路分别与MCU最小系统连接，反向偏压生成电路与探测器电路连接；所述MCU最小系统从所述温度检测电路读取温度信息，MCU最小系统控制所述反向偏压生成电路生成合适的APD反向偏压，所述反向偏压生成电路为所述探测器电路提供工作需要的APD反向偏压；

所述反向偏压生成电路包括驱动芯片U5、MOS管Q4、二极管D3、电感L3、电感L6，所述驱动芯片U5的10脚连接MOS管Q4的栅极，MOS管Q4的漏极与二极管D3连接并通过电容C31接地，MOS管Q4的源极接地；所述驱动芯片U5的11脚通过电感L3与MOS管Q4的漏极连接，驱动芯片U5的11脚通过并联的电容C28、电容C32后接地，驱动芯片U5的11脚连接正电源GL；所述驱动芯片U5的4脚通过电阻R18与5脚连接，电阻R18的一端分别连接电感L6、连接电容C45后接地，所述驱动芯片U5的5脚、7脚之间连接有串联的电容C44、电阻R24，电阻R21与串联后的电容C44、电阻R24并联，所述驱动芯片U5的5脚连接电感L6，电感L6的一端通过电容C45接地，另一端分别接地、接电源APD+；

所述温度检测电路包括温度传感器U11，温度传感器U11的2脚、3脚之间连接电容C50，温度传感器U11的1脚为VDD端并接入电压V₀2、2脚为VOUT端、3脚接地。

2.根据权利要求1所述的一种适用于激光测距的APD反向偏压温度自适应电路，其特征在于：所述MCU最小系统采用STM32系列单片机。

3.根据权利要求2所述的一种适用于激光测距的APD反向偏压温度自适应电路，其特征在于：所述MCU最小系统的7脚为复位端口，MCU最小系统的1脚为U1输出。

4.根据权利要求2所述的一种适用于激光测距的APD反向偏压温度自适应电路，其特征在于：所述MCU最小系统分别连接有调试接口、ARM去耦电容。

5.根据权利要求1所述的一种适用于激光测距的APD反向偏压温度自适应电路，其特征在于：所述驱动芯片U5的6脚通过电阻R23与7脚连接后再通过电阻R25接地。

6.根据权利要求1所述的一种适用于激光测距的APD反向偏压温度自适应电路，其特征在于：所述驱动芯片U5的8脚通过串联的电阻R17、电容C39后接地。

7.根据权利要求1所述的一种适用于激光测距的APD反向偏压温度自适应电路，其特征在于：所述驱动芯片U5的9脚接地。

8.根据权利要求1所述的一种适用于激光测距的APD反向偏压温度自适应电路，其特征在于：所述反向偏压生成电路的正电源GL为+5V。

9.根据权利要求1所述的一种适用于激光测距的APD反向偏压温度自适应电路，其特征在于：所述温度传感器U11的2脚的VOUT端为+3.3V。