[发明专利]一种基于PUF的密钥生成方法及装置、私钥存储方法在审

专利信息
申请号: 201910318049.4 申请日: 2019-04-19
公开(公告)号: CN109995507A 公开(公告)日: 2019-07-09
发明(设计)人: 赵波;邹建文;郭峰;方俊飞;刘一凡 申请(专利权)人: 武汉大学
主分类号: H04L9/06 分类号: H04L9/06;H04L9/08;H04L9/32
代理公司: 武汉科皓知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 42222 代理人: 罗飞
地址: 430072 湖*** 国省代码: 湖北;42
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要:
搜索关键词: 上电 嵌入式设备 安全密钥 密钥生成 私钥存储 算法 非对称密码算法 密钥管理方式 特征数据提取 私钥安全性 唯一性 电子指纹 加密存储 加密密钥 数据使用 物理模式 一次一密 复制性 密钥 私钥 加密 芯片 保存 回归 应用 安全 保证
【权利要求书】:

1.一种基于PUF的密钥生成方法,其特征在于,包括:

步骤S1:基于SRAM PUF技术,采集嵌入式平台上电后的SRAM特征数据,并根据SRAM特征数据生成种子值和第一识别码,根据种子值和第一识别码进行BCH编码,生成帮助数据;

步骤S2:在读取引导加载程序后,根据第一识别码的地址读取带有噪声的第二识别码,根据帮助数据和第二识别码进行BCH译码,恢复出第三识别码,并验证第三识别码与第一识别码是否相同,如果相同则验证通过;

步骤S3:在第三识别码与第一识别码相同时,利用对称加密算法对第三识别码进行哈希处理,生成密钥。

2.如权利要求1所述的方法,其特征在于,步骤S1具体包括:

读取一段大小为k bits第一SRAM初始值,将第一SRAM初始值进行BCH编码,生成具有预设纠错容限的n bits标准BCH码字;

读取一段大小为n bits第二SRAM初始值,根据第二SRAM初始值生成n bits的第一识别码;

将n bits标准BCH码字与n bits的第一识别码ID做异或处理,生成n bits帮助数据,并将其保存于非易失性存储器上,其中,n bits帮助数据用于密钥重构帮助带有噪声的识别码恢复出对应的识别码。

3.如权利要求2所述的方法,其特征在于,步骤S2具体包括:

在读取引导加载程序后,读取与第一识别码具有相同地址的n bits带有噪声的第二识别码;

读取非易失性存储器保存的n bits帮助数据HD;

将n bits带有噪声的第二识别码与n bits帮助数据做异或操作,获得n bits带有错误的BCH码;

将n bits带有错误的BCH码经过BCH译码操作,判断实际错误是否不大于预设纠错容限,如果是则生成n bits标准BCH码,译码成功,否则,BCH译码失败,程序结束运行;

在译码成功时,将n bits标准BCH码与n bits帮助数据做异或操作,恢复出第三识别码;

将恢复出的第三识别码与系统注册时产生的第一识别码进行比较,如果相同则验证成功。

4.如权利要求1所述的方法,其特征在于,步骤S3具体包括:

利用SM3算法或者SM4算法对第三识别码进行哈希处理,生成密钥。

5.如权利要求1所述的方法,其特征在于,第一识别码的地址的生成过程包括:

通过随机生成器生成一个随机数;

根据生成的随机数在地址列表中选取出地址值作为第一识别码的地址。

6.一种基于PUF的密钥生成装置,其特征在于,包括:

SRAM PUF注册模块,用于基于SRAM PUF技术,采集嵌入式平台上电后的SRAM特征数据,并根据SRAM特征数据生成种子值和第一识别码,根据种子值和第一识别码进行BCH编码,生成帮助数据;

SRAM PUF验证模块,用于在读取引导加载程序后,根据第一识别码的地址读取带有噪声的第二识别码,根据帮助数据和第二识别码进行BCH译码,恢复出第三识别码,并验证第三识别码与第一识别码是否相同,如果相同则验证通过;

哈希处理模块,用于在第三识别码与第一识别码相同时,利用对称加密算法对第三识别码进行哈希处理,生成密钥。

7.如权利要求6所述的装置,其特征在于,SRAM PUF注册模块具体用于:

读取一段大小为k bits第一SRAM初始值,将第一SRAM初始值进行BCH编码,生成具有预设纠错容限的n bits标准BCH码字;

读取一段大小为n bits第二SRAM初始值,根据第二SRAM初始值生成n bits的第一识别码;

将n bits标准BCH码字与n bits的第一识别码ID做异或处理,生成n bits帮助数据,并将其保存于非易失性存储器上,其中,n bits帮助数据用于密钥重构帮助带有噪声的识别码恢复出对应的识别码。

下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于武汉大学,未经武汉大学许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201910318049.4/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top