[发明专利]一种荧光纳米标尺部件及其制备和应用

权利要求书

1.一种荧光纳米标尺部件的制备方法，其特征在于，所述荧光纳米标尺部件包括基底(1)和基底上形成的掩模层(2)，所述掩模层包括间隔设置的沟槽(21)，所述沟槽的截面宽度为10-200nm，所述掩模层(2)的材料为Si；

所述制备方法包括以下步骤：

处理基底：清洗基底表面；

掩模层：将SOI基底通过HF腐蚀、Si膜水相转移，将Si附着于基底上作为掩模层材料；

涂布光刻胶：将光刻胶涂布在掩模层上，形成光刻胶模层，厚度为20-500nm；

光刻：对光刻胶模层进行图形化，在所述光刻胶模层上形成间隔设置的沟槽的光刻图案，所述沟槽的截面宽度为10-200nm；

转移图案：将所述光刻胶膜层的光刻图案转移到所述掩模层上，然后去除光刻胶；

在所述光刻步骤前，所述光刻胶上还涂布一层沉积导电金属层；所述沉积导电金属层的材料为金属Al。

2.根据权利要求1所述的荧光纳米标尺部件的制备方法，其特征在于，所述沟槽呈等间距排列，所述沟槽的截面宽度为10-150nm；所述沟槽的深宽比为0.1-20。

3.根据权利要求1所述的荧光纳米标尺部件的制备方法，其特征在于，所述掩模层的厚度为100-200nm。

4.根据权利要求1～3任一项所述的荧光纳米标尺部件的制备方法，其特征在于，采用电子束光刻的方式对所述光刻胶模层进行图形化，所述电子束光刻的电压为30kV-100kV。

5.根据权利要求1～3任一项所述的荧光纳米标尺部件的制备方法，其特征在于，在所述转移图案步骤中，采用RIE或湿法刻蚀技术将光刻胶图案转移到掩模层上。

6.根据权利要求5所述的荧光纳米标尺部件的制备方法，其特征在于，所述湿法刻蚀步骤包括金辅助腐蚀步骤。

7.一种荧光纳米标尺部件，其特征在于，所述荧光纳米标尺部件是使用权利要求1～6任一项所述的制备方法制备得到的。

8.权利要求1～6任一项所述的制备方法或使用权利要求1～6任一项所述的制备方法制备得到的荧光纳米标尺部件在显微荧光分析领域的应用。