[发明专利]一种星型共轭结构聚合物及其制备方法和应用有效

专利信息
申请号: 201910318223.5 申请日: 2019-04-19
公开(公告)号: CN110041508B 公开(公告)日: 2021-05-07
发明(设计)人: 高建华 申请(专利权)人: 杭州奥得科技有限公司
主分类号: C08G61/12 分类号: C08G61/12
代理公司: 杭州华知专利事务所(普通合伙) 33235 代理人: 杨秀芳
地址: 311121 浙江省杭州市余杭区仓前*** 国省代码: 浙江;33
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摘要:
搜索关键词: 一种 共轭 结构 聚合物 及其 制备 方法 应用
【权利要求书】:

1.一种星型共轭结构聚合物,其特征在于,所述聚合物包含式Ⅰ或式Ⅱ的重复单元;

其中,R为烷基,碳原子数为6~18。

2.根据权利要求1所述的星型共轭结构聚合物,其特征在于,所述聚合物的结构式如式Ⅰ或式Ⅱ;

其中,R为烷基,碳原子数为6~18。

3.一种星型共轭结构聚合物的制备方法,其特征在于,包括以下步骤:

步骤一,在无水无氧的条件下,将2,5-二氨基-1,4-苯二硫酚二盐酸盐与3-RS-2-噻吩甲醛进行回流反应,一步法得到2,2’-二-(3-RS-噻吩)-苯并二噻唑;

步骤二,将步骤一所得到的2,2’-二-(3-RS-噻吩)-苯并二噻唑在无水无氧的条件下与丁基锂进行反应,得到锂化物,再与三甲基氯化锡和/或三丁基氯化锡反应得到双锡代的2,2’-二-(3-RS-噻吩)-苯并二噻唑,作为聚合前体①;

步骤三,将三溴代的三噻吩并苯和/或三溴代的三噻吩联苯作为聚合前体②,在无氧的条件下和催化剂作用下进行Stille偶联反应,得到产物;

其中,R为烷基,碳原子数为6~18。

4.根据权利要求3所述的星型共轭结构聚合物的制备方法,其特征在于,所述2,2’-二-(3-RS-噻吩)-苯并二噻唑的结构式为式Ⅲ;

其中,R为烷基,碳原子数为6~18。

5.根据权利要求3所述的星型共轭结构聚合物的制备方法,其特征在于,所述步骤一的回流反应在溶剂中进行且溶剂为四氢呋喃,催化剂为哌啶。

6.根据权利要求3所述的星型共轭结构聚合物的制备方法,其特征在于,在步骤二中,所述2,2’-二-(3-RS-噻吩)-苯并二噻唑、丁基锂和三甲基氯化锡和/或三丁基氯化锡的投料的摩尔用量比1:(2~2.3):(2.2~2.5)。

7.根据权利要求3所述的星型共轭结构聚合物的制备方法,其特征在于,所述双锡代的2,2’-二-(3-RS-噻吩)-苯并二噻唑的结构式为式Ⅳ;

其中,R为烷基,碳原子数为6~18。

8.根据权利要求4所述的星型共轭结构聚合物的制备方法,其特征在于,在步骤三中,所述聚合前体①和聚合前体②的投料的摩尔用量比为3:2。

9.根据权利要求4所述的星型共轭结构聚合物的制备方法,其特征在于,所述步骤三的溶剂采用甲苯或N,N-二甲基甲酰胺,催化剂使用四(三苯基膦)钯和/或三(二亚苄基丙酮)二钯。

10.权利要求1-2任一项所述的星型共轭结构聚合物或者权利要求3-9任一项所述的制备方法制备的星型共轭结构聚合物在下述器件中的应用,所述器件包括:薄膜半导体器件、电化学器件、热电器件和/或光电器件。

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