[发明专利]阵列基板制备方法及阵列基板有效
| 申请号： | 201910318515.9 | 申请日： | 2019-04-19 |
| 公开（公告）号： | CN110047801B | 公开（公告）日： | 2021-11-30 |
| 发明（设计）人： | 许家豪;宋亮;赵吾阳;季雨菲;程浩 | 申请（专利权）人： | 京东方科技集团股份有限公司;成都京东方光电科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/77 | 分类号： | H01L21/77;H01L27/12;H01L21/3065 |
| 代理公司： | 北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 | 代理人： | 刘悦晗;陈源 |
| 地址： | 100015 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 阵列 制备 方法 | ||
1.一种阵列基板制备方法，其特征在于，所述方法包括：
将反应腔室内的第一电极的温度调节至能够减缓光刻胶灰化速度的预设温度；
将依次形成有金属膜层和光刻胶层的衬底基板放置在所述第一电极上，其中，所述衬底基板邻近所述第一电极；
利用工艺气体刻蚀所述金属膜层未被所述光刻胶层覆盖的区域，在刻蚀过程中，将所述第一电极的温度保持在所述预设温度，用以使部分所述光刻胶层融化、剥落，在所述金属膜层刻蚀形成的凹陷部的侧壁形成用于保护所述金属膜层的保护层。
2.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述预设温度为20-50℃。
3.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述工艺气体为不与C、N、O元素发生反应的气体。
4.如权利要求3所述的方法，其特征在于，所述工艺气体包括第一气体和/或第二气体。
5.如权利要求4所述的方法，其特征在于，所述利用工艺气体刻蚀所述金属膜层，具体包括：向所述第一电极加载第一功率，向所述反应腔室内的第二电极加载第二功率，在预设时长内向所述反应腔室内以预设流量通入第一气体和/或第二气体，并保持所述反应腔室内的压力为预设压力。
6.如权利要求5所述的方法，其特征在于，所述第一功率为0-25000W，所述第二功率为5000-25000W；所述预设时长为20-120s，所述预设流量为500-10000sccm，所述预设压力为5-200mT。
7.如权利要求5所述的方法，其特征在于，所述第一气体为Cl2，所述第二气体为BCl3。
8.如权利要求1-7任一项所述的方法，其特征在于，在所述金属膜层未被所述光刻胶层覆盖的区域刻蚀完成之后，所述方法还包括：
向所述反应腔室中通入第三气体，用以利用所述第三气体去除所述保护层和所述光刻胶层。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
