[发明专利]薄膜晶体管及其制备方法、阵列基板和显示装置

权利要求书

1.一种薄膜晶体管，其特征在于，包括：有源层和栅极绝缘层，所述有源层包括：层叠设置的第一有源子层和第二有源子层，所述第二有源子层位于所述栅极绝缘层和所述第一有源子层之间，所述第一有源子层的费米势大于所述第二有源子层的费米势；

所述第一有源子层和所述第二有源子层的材料均为铟镓锌氧化物；

第一有源子层是在氧分压为第一预设值a1的工艺环境下，通过磁控溅射技术形成的；第二有源子层是在氧分压为第二预设值a2的工艺环境下，通过磁控溅射技术形成；

所述第一有源子层的厚度范围包括：200Å～300Å，所述第二有源子层的厚度范围包括：50Å～100Å；

所述第一预设值a1为30%，所述第二预设值a2为40%或50%。

2.根据权利要求1所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述第一有源子层的载流子浓度大于所述第二有源子层的载流子浓度。

3.根据权利要求1所述的薄膜晶体管，其特征在于，还包括：栅极、源极和漏极，栅极位于所述栅极绝缘层背向所述有源层的一侧；

所述源极和所述漏极均与所述有源层电连接，所述源极和所述漏极位于所述有源层朝向所述栅极绝缘层的一侧；或者，所述源极和所述漏极位于所述有源层背向所述栅极绝缘层的一侧。

4.一种阵列基板，其特征在于，包括：如权利要求1-3中任一所述的薄膜晶体管。

5.一种显示装置，其特征在于，包括：如上述权利要求4中所述的阵列基板。

6.一种薄膜晶体管的制备方法，其特征在于，包括：

形成栅极绝缘层；

形成有源层，所述有源层包括：层叠设置的第一有源子层和第二有源子层；

其中，所述有源层与所述栅极绝缘层层叠设置，所述第二有源子层位于所述栅极绝缘层和所述第一有源子层之间，所述第一有源子层的费米势大于所述第二有源子层的费米势；

所述形成有源层的步骤包括：

形成第一有源材料薄膜，所述第一有源材料薄膜的厚度范围包括：200Å～300Å；

形成第二有源材料薄膜，所述第二有源材料薄膜的厚度范围包括：50Å～100Å；

对所述第一有源材料薄膜和所述第二有源材料薄膜进行一次构图工艺，以形成所述第一有源子层的图形和所述第二有源子层的图形；

所述第一有源材料薄膜和所述第二有源材料薄膜的材料相同且均为铟镓锌氧化物；

形成第一有源材料薄膜的步骤包括：

在氧分压为第一预设值a1的工艺环境下，通过磁控溅射技术形成第一有源材料薄膜，所述第一预设值a1为30%

形成第二有源材料薄膜的步骤包括：

在氧分压为第二预设值a2的工艺环境下，通过磁控溅射技术形成第二有源材料薄膜，所述第二预设值a2为40%或50%。

7.根据权利要求6所述的薄膜晶体管的制备方法，其特征在于，形成栅极绝缘层和形成有源层的步骤具体包括：

在衬底基板的一侧形成第一有源材料薄膜；

在所述第一有源材料薄膜背向所述衬底基板的一侧形成第二有源材料薄膜；

对所述第一有源子层材料薄膜和所述第二有源材料薄膜进行构图工艺，以形成所述第一有源子层的图形和所述第二有源子层的图形；

在所述第二有源子层背向所述衬底基板的一侧形成栅极绝缘材料薄膜；

对所述栅极绝缘材料薄膜进行构图工艺，以形成所述栅极绝缘层的图形。

8.根据权利要求7所述的薄膜晶体管的制备方法，其特征在于，所述对所述栅极绝缘材料薄膜进行构图工艺，以形成所述栅极绝缘层的图形的步骤之后，还包括：

对所述第二有源子层未被所述栅极绝缘层覆盖的区域进行导体化处理。