[发明专利]具有集成气体分配的模块化高频源

权利要求书

1.一种用于处理腔室的施加器框架，包含：

所述施加器框架的第一主表面；

与所述第一主表面相对的所述施加器框架的第二主表面；

通孔，其中所述通孔完全穿过所述施加器框架延伸；以及

嵌入所述施加器框架中的横向通道，其中所述横向通道与所述通孔相交。

2.如权利要求1所述的施加器框架，所述施加器框架进一步包含多个横向通道。

3.如权利要求2所述的施加器框架，其中所述多个横向通道在所述施加器框架内的一个以上的z高度处形成。

4.如权利要求2所述的施加器框架，其中所述横向通道的两个或更多个与所述通孔相交。

5.如权利要求2所述的施加器框架，其中所述横向通道中的至少一个与延伸到所述第二主表面的竖直通道相交。

6.如权利要求1所述的施加器框架，所述施加器框架进一步包含：

到所述第一主表面中的凹槽，其中所述凹槽基本上与所述通孔同心。

7.如权利要求1所述的施加器框架，所述施加器框架进一步包含：

多个通孔，其中所述通孔中的每一个完全穿过所述施加器框架延伸；以及

嵌入所述施加器框架中的多个横向通道，其中所述横向通道中的一或多个与通孔相交。

8.如权利要求1所述的施加器框架，其中所述施加器框架是用于处理腔室的盖或用于处理腔室的侧壁。

9.如权利要求1所述的施加器框架，其中所述施加器框架包含电气接地层。

10.如权利要求1所述的施加器框架，其中所述施加器框架包含多个层。

11.一种处理工具，包含：

处理腔室；

吸盘，用于支撑所述处理腔室中的基板；

施加器框架，形成所述处理腔室的一部分，其中所述施加器框架包含：

第一主表面；

第二主表面，与所述第一主表面相对；

多个通孔，其中所述通孔完全穿过所述施加器框架延伸；以及

嵌入所述施加器框架中的多个横向通道，其中所述横向通道中的一或多个与所述通孔中的至少一个相交；以及

模块化高频发射源，包含：

多个高频发射模块，其中每个高频发射模块包含：

振荡器模块；

放大模块，其中所述放大模块耦合到所述振荡器模块；以及

施加器，其中所述施加器耦合到所述放大模块，并且其中所述施加器密封所述施加器框架中的所述通孔中的一个的一端。

12.如权利要求11所述的处理工具，其中所述施加器中的每个通过压缩密封环来密封穿过所述施加器框架的所述开口中的一个。

13.如权利要求12所述的处理工具，其中所述施加器框架进一步包含：

多个凹槽，其中每个凹槽基本上与所述开口中的一个同心，并且其中所述密封环置于由所述凹槽中的一个限定的阶梯表面上。

14.如权利要求11所述的处理工具，其中所述多个横向通道流体地耦合到一或多个气源。

15.如权利要求11所述的处理工具，其中所述施加器框架是所述处理腔室的侧壁或所述处理腔室的盖。

16.如权利要求11所述的处理工具，其中所述施加器框架包含电气接地层。

17.如权利要求11所述的处理工具，所述处理工具进一步包含靠近所述施加器框架的所述第二主表面的气体分配板。