[发明专利]一种发光器件及其制作方法、和显示面板在审
申请号: | 201910321801.0 | 申请日: | 2019-04-22 |
公开(公告)号: | CN110120406A | 公开(公告)日: | 2019-08-13 |
发明(设计)人: | 王坤 | 申请(专利权)人: | 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 |
主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32 |
代理公司: | 深圳翼盛智成知识产权事务所(普通合伙) 44300 | 代理人: | 黄威 |
地址: | 430079 湖北省武汉市东湖新技术*** | 国省代码: | 湖北;42 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 基色 光子 像素 像素单元 发光器件 显示面板 边缘锯齿 间隔设置 像素组合 阵列排布 子像素 分辨率 彩边 相等 制作 申请 | ||
1.一种发光器件,其特征在于,包括:
呈阵列排布的多个像素单元,所述像素单元包括间隔设置的第一基色光子像素、第二基色光子像素和第三基色光子像素,
在每一所述像素单元中,所述第一基色光子像素、所述第二基色光子像素和所述第三基色光子像素组合后呈圆形,且所述第一基色光子像素、所述第二基色光子像素和所述第三基色光子像素的面积不完全相等。
2.根据权利要求1所述的发光器件,其特征在于,所述第一基色光子像素、所述第二基色光子像素和所述第三基色光子像素的形状均为扇形。
3.根据权利要求1所述的发光器件,其特征在于,所述第一基色光子像素为红光子像素,所述第二基色光子像素为绿光子像素,所述第三基色光子像素为蓝光子像素,所述蓝光子像素的面积大于所述红光子像素的面积,所述红光子像素的面积大于所述绿光子像素的面积。
4.根据权利要求1所述的发光器件,其特征在于,所述像素单元还包括至少一个补偿光子像素,在每一所述像素单元中,所述第一基色光子像素、所述第二基色光子像素和所述第三基色光子像素构成一个基色光子像素组,所述补偿光子像素位于所述基色光子像素组的周边区域。
5.根据权利要求4所述的发光器件,其特征在于,所述像素单元还包括至少两个补偿光子像素,所述至少两个补偿光子像素均匀分布于所述基色光子像素组的周边区域。
6.根据权利要求4或5所述的发光器件,其特征在于,所述补偿光子像素的形状为菱形、圆形、椭圆形、正方形、矩形或多边形。
7.一种发光器件的制作方法,其特征在于,包括:
提供基板,所述基板包括呈阵列排布的多个像素区域,所述像素区域包括间隔设置的第一基色光子像素区域、第二基色光子像素区域和第三基色光子像素区域,在每一所述像素区域中,所述第一基色光子像素区域、所述第二基色光子像素区域和所述第三基色光子像素区域组合后呈圆形,且所述第一基色光子像素区域、所述第二基色光子像素区域和所述第三基色光子像素区域的面积不完全相等;
在所述像素区域上形成像素单元,所述像素单元包括位于所述第一基色光子像素区域上的第一基色光子像素、位于所述第二基色光子像素区域上的第二基色光子像素、以及位于所述第三基色光子像素区域上的第三基色光子像素。
8.根据权利要求7所述的制作方法,其特征在于,在所述像素区域上形成像素单元的步骤,具体包括:
在所述第一基色光子像素区域上形成第一基色光子像素;
在所述第二基色光子像素区域上形成第二基色光子像素;
在所述第三基色光子像素区域上形成第三基色光子像素。
9.根据权利要求7所述的制作方法,其特征在于,所述像素区域还包括至少一个补偿光子像素区域,在每一所述像素区域中,所述第一基色光子像素区域、所述第二基色光子像素区域和所述第三基色光子像素区域构成一个基色光子像素组区域,所述补偿光子像素区域位于所述基色光子像素组区域的周边区域,所述在所述像素区域上形成像素单元的步骤,具体包括:
利用第一掩膜版,在所述第一基色光子像素区域和所述补偿光子像素区域上形成第一基色光子像素;
利用第二掩膜版,在所述第二基色光子像素区域和所述补偿光子像素区域上形成第二基色光子像素;
利用第三掩膜版,在所述第三基色光子像素区域和所述补偿光子像素区域上形成第三基色光子像素。
10.一种显示面板,其特征在于,包括如权利要求1-6任一项所述的发光器件。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的