[发明专利]一种与Si工艺兼容的Nix

权利要求书

1.一种与Si工艺兼容的Ni_xSi_y/Ga₂O₃肖特基二极管的制备方法，用于在标记片上形成肖特基电极以及欧姆电极从而得到肖特基二极管，该标记片的工作面具有相互邻接并且用于形成所述肖特基电极的第一区域和第二区域以及与所述第一区域邻接并且与该第一区域配合形成所述欧姆电极的第三区域，其特征在于，包括以下步骤：

步骤一，将Ga₂O₃薄膜覆盖在所述第一区域上，然后将所述Ga₂O₃薄膜的表面以及所述工作面全部涂胶；

步骤二，在所述Ga₂O₃薄膜的表面以及所述工作面光刻去胶得到阳极窗口，所述阳极窗口的一部分覆盖所述Ga₂O₃薄膜的边缘部分，另一部分覆盖所述第二区域；

步骤三，在所述阳极窗口表面溅射沉积硅形成第一预定厚度的硅层，然后在所述硅层上用电子束蒸发形成第二预定厚度的镍层；

步骤四，将所述标记片去胶；

步骤五，将去胶后的所述标记片在惰性气氛、预定温度下快速退火预定时间，从而在所述阳极窗口处形成Ni_xSi_y硅化物，该Ni_xSi_y硅化物与所述Ga₂O₃构成具有Ni_xSi_y/Ga₂O₃的所述肖特基电极；

步骤六，在所述第一区域以及所述第三区域制作具有所述Ga₂O₃的所述欧姆电极，从而得到Ni_xSi_y/Ga₂O₃肖特基二极管；

其中，所述步骤三中所述第一预定厚度为20nm～100nm，所述第二预定厚度为40nm～200nm，所述第一预定厚度小于所述第二预定厚度，

所述步骤五中的所述预定温度为400℃～650℃，所述预定时间为40s～60s。

2.根据权利要求1所述的与Si工艺兼容的Ni_xSi_y/Ga₂O₃肖特基二极管的制备方法，其特征在于：

其中，具有所述Ga₂O₃的所述欧姆电极的制作方法如下：

在具有所述Ni_xSi_y/Ga₂O₃的所述肖特基电极的表面以及所述工作面上全部涂胶，在所述Ga₂O₃薄膜的表面以及所述工作面光刻去胶得到阴极窗口，在该阴极窗口处制作具有Ti/Al/Ni/Au合金的具有所述Ga₂O₃的所述欧姆电极，

所述阴极窗口一部分覆盖所述Ga₂O₃薄膜的边缘部分，另一部分覆盖所述第三区域。

3.根据权利要求1所述的与Si工艺兼容的Ni_xSi_y/Ga₂O₃肖特基二极管的制备方法，其特征在于：

其中，所述标记片的材质为蓝宝石、Si、Ge、GaN、SiO₂/Si、Al₂O₃/Si、HfO₂/Si、AlN/Si、AlON/Si或ZrO₂/Si中的任意一种。

4.根据权利要求1或2所述的与Si工艺兼容的Ni_xSi_y/Ga₂O₃肖特基二极管的制备方法，其特征在于：

其中，所述光刻为电子束光刻或紫外光刻。