[发明专利]一种具有钝化接触结构的P型高效电池及其制作方法

权利要求书

1.一种具有钝化接触结构的P型高效电池，其特征在于，包括：

硅片以及衬底，所述衬底包括相对设置的正面和背面，所述背面包括背面氮化硅层以及背面氮化硅层所覆盖的钝化接触结构；

背面电极，所述背面电极贯穿背面氮化硅层并与钝化接触结构接触；

位于所述正面的正面结构。

2.如权利要求1所述的一种具有钝化接触结构的P型高效电池，其特征在于，所述钝化接触结构包括：

位于所述背面氮化硅靠近硅片的多晶硅掺杂层；

位于所述多晶硅掺杂层靠近硅片的隧穿氧化层。

3.如权利要求2所述的一种具有钝化接触结构的P型高效电池，其特征在于，所述多晶硅掺杂层为掺杂硼的多晶硅层。

4.如权利要求2或3所述的一种具有钝化接触结构的P型高效电池，其特征在于，所述隧穿氧化层为二氧化硅层。

5.一种具有钝化接触结构的P型高效电池的制作方法，其特征在于，用于形成权利要求1-4中任一项所述的具有钝化接触结构的P型高效电池，所述制作方法包括：

S1、提供所述硅片背面的衬底；

S101、制隧穿氧化层：先在背面沉积一层隧穿氧化层；

S102、制多晶硅掺杂层：再在背面沉积一层多晶硅掺杂层；

S103、制背面保护层：最后在背面沉积一层氮化硅；

S2、制绒；

S3、扩散；

S4、两面清洗；

S5、退火；

S6、制背面氮化硅；

S7、制正面氮化硅；

S8、丝网印刷。

6.如权利要求1所述的一种具有钝化接触结构的P型高效电池的制作方法，其特征在于：所述隧穿氧化层为二氧化硅氧化层。

7.如权利要求1所述的一种具有钝化接触结构的P型高效电池的制作方法，其特征在于：步骤S102中在沉积多晶硅掺杂层时并进行硼掺杂。

8.如权利要求7所述的一种具有钝化接触结构的P型高效电池的制作方法，其特征在于：步骤S101之前还包括表面清洗，具体为对P型硅片进行两面清洗处理，去除硅片表面的损伤层。