[发明专利]具有只读存储器特征的非易失性存储器装置及系统及其操作方法

权利要求书

1.一种存储器装置，其包括：

非易失性存储器阵列；及

电路，其经配置以：

存储所述非易失性存储器阵列的一或多个地址；

将接收命令的地址与所述一或多个地址进行比较；以及

至少部分基于所述比较，确定不实施所述接收命令。

2.根据权利要求1所述的存储器装置，其中所述接收命令是写入命令或擦除命令。

3.根据权利要求1所述的存储器装置，其中所述电路经配置以将所述一或多个地址存储在所述存储器装置的一次写入多次读取WORM存储器中。

4.根据权利要求3所述的存储器装置，其中所述电路进一步经配置以：

响应于在所述存储器装置处接收的命令，将所述一或多个地址写入所述一次写入多次读取WORM存储器。

5.根据权利要求3所述的存储器装置，其中所述一次写入多次读取WORM存储器包括熔丝阵列、反熔丝阵列或其组合。

6.根据权利要求1所述的存储器装置，其中所述电路经配置以将所述一或多个地址存储在所述存储器装置的模式寄存器中。

7.根据权利要求1所述的存储器装置，其中所述电路经配置以响应于所述接收命令对应于所述一或多个地址而确定不实施所述接收命令。

8.根据权利要求1所述的存储器装置，其中所述电路经配置以响应于所述接收命令不对应于所述一或多个地址而确定不实施所述接收命令。

9.根据权利要求1所述的存储器装置，其中所述电路进一步经配置以在确定不实施所述接收命令之后返回错误消息。

10.根据权利要求1所述的存储器装置，其中所述非易失性存储器阵列包括NAND快闪存储器、NOR快闪存储器、MRAM、FeRAM、PCM或其组合。

11.根据权利要求1所述的存储器装置，其中单个半导体裸片包括所述非易失性存储器阵列及所述电路。

12.根据权利要求1所述的存储器装置，其中存储器控制器裸片包括所述电路且存储器裸片包括所述非易失性存储器阵列。

13.一种操作包含非易失性存储器阵列的存储器装置的方法，所述方法包括：

使用所述存储器装置存储所述非易失性存储器阵列的一或多个地址；

将接收命令的地址与所述一或多个地址进行比较；以及

至少部分基于所述比较，确定不实施所述接收命令。

14.根据权利要求13所述的方法，其中所述接收命令是写入命令或擦除命令。

15.根据权利要求13所述的方法，其中存储所述一或多个地址包括将所述一或多个地址存储在所述存储器装置的一次写入多次读取WORM存储器中。

16.根据权利要求15所述的方法，其进一步包括：

响应于在所述存储器装置处接收的命令，将所述一或多个地址写入所述一次写入多次读取WORM存储器。

17.根据权利要求15所述的方法，其中所述一次写入多次读取WORM存储器包括熔丝阵列、反熔丝阵列或其组合。

18.根据权利要求13所述的方法，其中存储所述一或多个地址包括将所述一或多个地址存储在所述存储器装置的模式寄存器中。

19.根据权利要求13所述的方法，其中所述确定不实施所述接收命令是响应于所述接收命令对应于所述一或多个地址。