[发明专利]电致变色开关有效
申请号: | 201910322975.9 | 申请日: | 2019-04-22 |
公开(公告)号: | CN110389480B | 公开(公告)日: | 2022-07-22 |
发明(设计)人: | S·布尔加;R·科普夫 | 申请(专利权)人: | 诺基亚通信公司 |
主分类号: | G02F1/153 | 分类号: | G02F1/153;G02F1/163;G02F1/1524 |
代理公司: | 北京市金杜律师事务所 11256 | 代理人: | 酆迅 |
地址: | 芬兰*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 变色 开关 | ||
1.一种开关(100),包括:
接地平面层(102);
电致变色区域(104),所述电致变色区域与所述接地平面层(102)相邻;
电解质区域(106),所述电解质区域与所述接地平面层相邻;
电压不活动区域(108),所述电压不活动区域与所述接地平面层相邻并且在所述电致变色区域与所述电解质区域之间;
微带线(110),所述微带线与所述电致变色区域相邻;以及
电压控制的偏置线(112),所述电压控制的偏置线将所述微带线耦合到所述电解质区域,其中将电压施加到所述偏置线使得所述微带线被短路到所述接地平面层。
2.根据权利要求1所述的开关,其中所述电致变色区域还包括第一变色层(202)和第二变色层(206)。
3.根据权利要求2所述的开关,其中所述电致变色区域还包括所述第一变色层与所述第二变色层之间的导电层(204)。
4.根据权利要求2所述的开关,其中所述第一变色层和所述第二变色层是过渡金属氧化物。
5.根据权利要求4所述的开关,其中所述第一变色层是氧化钨(WO3)。
6.根据权利要求4所述的开关,其中所述第二变色层是氧化镍(NiO)。
7.根据权利要求1所述的开关,其中所述电解质区域是铌酸锂(LiNbO3)。
8.根据权利要求1所述的开关,还包括在所述电压控制的偏置线与所述电致变色区域的至少一部分之间的电压不活动基板。
9.根据权利要求8所述的开关,其中所述电压不活动区域和所述电压不活动基板是二氧化硅(SiO2)。
10.根据权利要求1所述的开关,还包括与所述电解质区域相邻的导电焊盘(116),其中所述开关由被施加在所述接地平面层与所述导电焊盘之间的第一电压以及被施加在所述导电焊盘与所述电压控制的偏置线之间的第二电压来控制。
11.根据权利要求10所述的开关,其中所述第一电压和所述第二电压小于10V。
12.一种射频(RF)设备,包括用于对RF信号进行切换的至少一个开关,所述至少一个开关还包括:
接地平面层;
电致变色区域,所述电致变色区域与所述接地平面层相邻;
电解质区域,所述电解质区域与所述接地平面层相邻;
电压不活动区域,所述电压不活动区域与所述接地平面层相邻并且在所述电致变色区域与所述电解质区域之间;
微带线,所述微带线与所述电致变色区域相邻;以及
电压控制的偏置线,所述电压控制的偏置线将所述微带线耦合到所述电解质区域,其中将电压施加到所述偏置线使得所述微带线被短路到所述接地平面层。
13.根据权利要求12所述的射频(RF)设备,其中所述射频(RF)设备包括移相器。
14.根据权利要求12所述的射频(RF)设备,其中所述射频(RF)设备包括天线阵列。
15.根据权利要求12所述的射频(RF)设备,其中所述射频(RF)设备包括衰减器。
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