[发明专利]基于SiC-Si混合功率半导体器件开关的双有源桥变换器

权利要求书

1.一种基于SiC-Si混合功率半导体器件开关的双有源桥变换器，其特征在于：所述的双有源桥变换器包括单相全桥H₁、单相全桥H₂和高频变压器T_hf；所述单相全桥H₁由桥臂₁、桥臂₂、滤波电容C₁构成，单相全桥H₂由桥臂3、桥臂4和滤波电容C₂构成；所述高频变压器的原边与所述的桥臂1和桥臂2相连，所述高频变压器的副边与所述的桥臂3和桥臂4相连；所述的桥臂1由SiC-Si混合功率半导体器件S₁和S₂串联构成，所述的桥臂2由SiC-Si混合功率半导体器件S₃和S₄串联构成，所述的桥臂3由SiC-Si混合功率半导体器件S₅和S₆串联构成，所述的桥臂4由SiC-Si混合功率半导体器件S₇和S₈串联构成；所述高频变压器用于将所述的单相全桥H₁和单相全桥H₂之间的电压等级变换和电气隔离。

2.如权利要求1所述的基于SiC-Si混合功率半导体器件开关的双有源桥变换器，其特征在于：所述的SiC-Si混合功率半导体器件S₁由一只SiC-MOSFET M₁、一只Si-IGBT G₁，以及各自的并联二极管并联组成；所述的SiC-Si混合功率半导体器件S₂由一只SiC-MOSFET M₂、一只Si-IGBT G₂，以及各自的并联二极管并联组成；所述的SiC-Si混合功率半导体器件S₃由一只SiC-MOSFET M₃、一只Si-IGBT G₃，以及各自的并联二极管并联组成；所述的SiC-Si混合功率半导体器件S₄由一只SiC-MOSFET M₄、一只Si-IGBT G₄，以及各自的并联二极管并联组成；所述的SiC-Si混合功率半导体器件S₅由一只SiC-MOSFET M₅、一只Si-IGBT G₅，以及各自的并联二极管并联组成；所述的SiC-Si混合功率半导体器件S₆由一只SiC-MOSFET M₆、一只Si-IGBT G₆，以及各自的并联二极管并联组成；所述的SiC-Si混合功率半导体器件S₇由一只SiC-MOSFET M₇、一只Si-IGBT G₇，以及各自的并联二极管并联组成；所述的SiC-Si混合功率半导体器件S₈由一只SiC-MOSFET M₈、一只Si-IGBT G₈，以及各自的并联二极管并联组成；所述的混合功率半导体器件Si-IGBT G₁-G₈和SiC-MOSFET M₁-M₈的额定电压相同，Si-IGBT G₁-G₈和SiC-MOSFET M₁-M₈的额定电流之比大于或等于1；所述高频变压器用于所述的单相全桥H₁和单相全桥H₂之间的电压等级变换和电气隔离。