[发明专利]光致抗蚀刻剂薄膜及应用其的光蚀刻方法

权利要求书

1.一种光蚀刻方法，包括如下步骤：

提供一基板，所述基板为透明材料，所述基板包括相背的第一表面及第二表面，将一材料层设置于所述第一表面，将一第一光致抗蚀刻剂薄膜设置于所述材料层远离所述基板一侧；

提供一第二光致抗蚀刻剂薄膜，所述第二光致抗蚀刻剂薄膜为多层结构，至少包括一层隔光层和一层感光层，所述隔光层为不透明材料，所述感光层为不透明材料，所述感光层包含感光材料，所述感光层的吸光度大于或等于3，所述感光层的材料性质会因光照发生改变，所述感光层被光照射的部分和未被光照射的部分对于同一种溶剂的溶解度不相同；

将所述第二光致抗蚀刻剂薄膜设置于所述第二表面，将所述隔光层设置于所述第二光致抗蚀刻剂薄膜靠近所述基板一侧，将所述感光层设置于所述第二光致抗蚀刻剂薄膜远离所述基板一侧；

将所述基板放置于一曝光机台上，对所述第一光致抗蚀刻剂薄膜及所述第二光致抗蚀刻剂薄膜进行曝光；

使用蚀刻液对曝光后的所述第一光致抗蚀刻剂薄膜以及所述材料层进行蚀刻，使所述材料层获得一第一图案，去除所述第一光致抗蚀刻剂薄膜；

使用蚀刻液对曝光后的所述第二光致抗蚀刻剂薄膜进行蚀刻，使所述第二光致抗蚀刻剂薄膜获得一第二图案；以及

提供一第三光致抗蚀刻剂薄膜，将所述第三光致抗蚀刻剂薄膜设置于所述材料层远离所述基板一侧，所述感光层具备所述第二图案，使所述感光层对应所述第二图案开设有贯穿所述感光层的第一开口，从所述第二光致抗蚀刻剂薄膜所在的方向对所述第三光致抗蚀刻剂薄膜进行曝光，曝光过程中光线通过所述第一开口照射至所述第三光致抗蚀刻剂薄膜。

2.如权利要求1所述的光蚀刻方法，其特征在于，还包括如下步骤：使用蚀刻液对所述第三光致抗蚀刻剂薄膜进行蚀刻使其获得所述第二图案，通过具备所述第二图案的所述第三光致抗蚀刻剂薄膜对所述材料层进行蚀刻将所述第二图案转移至所述材料层。

3.如权利要求2所述的光蚀刻方法，其特征在于，还包括如下步骤：去除所述第二光致抗蚀刻剂薄膜及所述第三光致抗蚀刻剂薄膜。

4.如权利要求1至2任意一项所述的光蚀刻方法，其特征在于：对所述第一光致抗蚀刻剂薄膜进行曝光时，用于曝光的光线被所述隔光层遮挡且无法照射所述感光层。

5.如权利要求1所述的光蚀刻方法，其特征在于：所述隔光层对应所述第二图案设置有贯穿所述隔光层的第二开口，所述第二开口的面积大于所述第一开口的面积。