[发明专利]一种陶瓷基板与高分子复合基板用于SiP封装的制备方法与应用在审
| 申请号： | 201910323540.6 | 申请日： | 2019-04-22 |
| 公开（公告）号： | CN110062521A | 公开（公告）日： | 2019-07-26 |
| 发明（设计）人： | 陈锦标;奚亚男 | 申请（专利权）人： | 广州钰芯智能科技研究院有限公司 |
| 主分类号： | H05K1/03 | 分类号： | H05K1/03;H05K1/18;H05K3/34;H01L23/15;H01L23/498;H01L21/48 |
| 代理公司： | 佛山帮专知识产权代理事务所(普通合伙) 44387 | 代理人： | 颜德昊 |
| 地址： | 510000 广东省广州市海珠区新港西路1*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 陶瓷基板 高分子复合 基板 埋入 通孔 下层 修饰 制备 封装 电路 整体封装技术 导热 导热性能 减小信号 可靠性能 上下表面 通讯模组 信号传输 讯号传输 引线连接 整体模块 线路板 传热 电路层 失真度 互连 覆铜 可用 盲孔 铜层 铜柱 微孔 焊接 应用 并用 上层 加工 | ||
1.一种陶瓷基板与高分子复合基板，其特征在于，所述陶瓷基板埋入所述高分子复合基板，露在外面的陶瓷基板电路层上安装IC芯片。
2.根据权利要求1所述的一种陶瓷基板，其特征在于，所述陶瓷为氮化铝、氧化铝、氧化铍或碳化硅。
3.根据权利要求1所述的一种陶瓷基板，其特征在于，所述陶瓷基板打有贯通孔，在孔中电镀填铜，可传导热量，传输信号。
4.根据权利要求1所述的一种陶瓷基板，其特征在于，所述陶瓷基板上、下层安装铜基底，并与所述陶瓷基板的微孔铜柱对位互连。
5.根据权利要求1所述的IC芯片，其特征在于，所述IC芯片在PAD点上植放锡球，并与所述陶瓷基板上层铜基底对位互连。
6.根据权利要求1所述的一种高分子复合基板，其特征在于，所述高分子复合基板上下层均电镀铜层，为高分子覆铜板。
7.根据权利要求1所述的一种高分子复合基板，其特征在于，所述高分子基板为FR-4、MG、BT、PTFE或金属类基板。
8.根据权利要求1所述的一种高分子复合基板，其特征在于，所述高分子复合基板打孔后电镀填充导热铜柱，与嵌入的陶瓷基板下层铜焊盘相连，可传导热量。
9.根据权利要求1～8所述的一种陶瓷基板与高分子复合基板用于SiP封装的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：
(1)在陶瓷基板上加工微导孔；
(2)在陶瓷基板上加工HDI填孔铜柱；
(3)在陶瓷上、下层安装铜基底，并与HDI微孔铜柱对位互连；
(4)将锡球植放到IC芯片PAD点上；
(5)将IC芯片有源区面对陶瓷基板，通过芯片上呈阵列排列的锡球与陶瓷基板上层铜基底对位互连，并与HDI微孔连通，制成陶瓷封装基板；
(6)在高分子基板表面电镀铜层，制得高分子覆铜板；
(7)在高分子覆铜板内挖洞；
(8)将制备好的陶瓷封装基板埋入高分子覆铜板的孔洞；
(9)将埋入陶瓷基板的高分子覆铜板进行通孔镀铜，并用引线连通陶瓷封装基板下层铜焊盘，传导到高分子基板各层，封装加工后得到整体PCB封装模块。
10.根据权利要求1～9所述的陶瓷基板与高分子复合基板的SiP封装模块，其特征在于，所述SiP封装模块用于电子通讯领域元件封装加工，所述电子通讯领域优选5G通讯领域。
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