[发明专利]一种OLED器件及其制备方法有效
申请号: | 201910323616.5 | 申请日: | 2019-04-22 |
公开(公告)号: | CN110048022B | 公开(公告)日: | 2020-08-04 |
发明(设计)人: | 潘凌翔;刘明 | 申请(专利权)人: | 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 |
主分类号: | H01L51/52 | 分类号: | H01L51/52;H01L51/50;H01L51/56 |
代理公司: | 深圳翼盛智成知识产权事务所(普通合伙) 44300 | 代理人: | 黄威 |
地址: | 518132 广东省深*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 oled 器件 及其 制备 方法 | ||
本发明涉及一种OLED器件及其制备方法。OLED器件包括基板、两个阳极、辅助阴极、两个堤坝、功能层、薄膜层以及面阴极。通过喷墨打印将高分子溶质溶解的良溶剂、不良溶剂或者良溶剂与不良溶剂的混合溶剂打印进入接触孔底部的电子传输层上,使溶剂冲刷、溶解接触孔底部的电子传输层,破坏其膜层结构形成纳米颗粒结构,然后去除溶剂,形成薄膜层。由于纳米颗粒的团聚效应,降低薄膜层均匀性,使得面阴极能够与未被薄膜层覆盖的辅助阴极直接导通,从而解决电压降的问题;本发明还可以在冲刷电子传输层的溶剂中添加导体材料,增加薄膜层导电能力,使得面阴极还能通过混有导体材料的薄膜层与辅助阴极导通,从而进一步地解决电压降的问题。
技术领域
本发明涉及显示技术领域,具体涉及一种OLED器件及其制备方法。
背景技术
OLED(英文全称:Organic Light-Emitting Diode,简称OLED)器件又称为有机电激光显示装置、有机发光半导体。OLED的基本结构是由一薄而透明具有半导体特性的铟锡氧化物(ITO)与电力之正极相连,再加上另一个金属面阴极,包成如三明治的结构。整个结构层中包括了:空穴传输层(HTL)、发光层(EL)与电子传输层(ETL)。当电力供应至适当电压时,正极空穴与面阴极电荷就会在发光层中结合,在库伦力的作用下以一定几率复合形成处于激发态的激子(电子-空穴对),而此激发态在通常的环境中是不稳定的,激发态的激子复合并将能量传递给发光材料,使其从基态能级跃迁为激发态,激发态能量通过辐射驰豫过程产生光子,释放出光能,产生光亮,依其配方不同产生红、绿和蓝RGB三基色,构成基本色彩。
首先OLED的特性是自己发光,不像薄膜晶体管液晶显示装置(英文全称:Thinfilm transistor-liquid crystal display,简称TFT-LCD)需要背光,因此可视度和亮度均高。其次OLED具有电压需求低、省电效率高、反应快、重量轻、厚度薄,构造简单,成本低、广视角、几乎无穷高的对比度、较低耗电、极高反应速度等优点,已经成为当今最重要的显示技术之一,正在逐步替代TFT-LCD,有望成为继LCD之后的下一代主流显示技术。
目前OLED的应用方向有红绿蓝有机显示装置直接发光的技术,以及白色有机显示装置中加入彩色滤光片的发光技术两大类。而产品主要分为较小尺寸的手机、Pad等屏幕和较大尺寸的TV屏幕等。
在大尺寸OLED屏幕方向,现有面市产品集中在底部发光结构,面阴极采用较厚的碱金属。但是,随着用户对分辨率的要求越来越高,底部结构的OLED会受到开口率的限制,难以实现较高的分辨率。因此,越来越多的厂家将精力转向顶部OLED的开发,以期望实现更高的分辨率。
但是,顶部OLED的面阴极通常采用较薄的透明金属作为电极,此外为了避免对复杂Mask的使用,透明面阴极通过整面蒸镀实现与屏幕边缘电路的连接。由于要兼顾透过率,透明面阴极一般做得较薄,导致其导电能力较差。由R=ρL/S条形电阻计算公式大致可知,在屏幕尺寸较大时,在屏幕中心的发光点,由于离电极接口较远,长距离的电流传输使其驱动电压上升较大。造成屏幕内边缘靠近电极接口区域与屏幕中心区域驱动电压差距过大,有电压降(IR drop)的问题。因此需要对寻找一种新型的OLED器件以解决目前的OLED器件存在的电压降的问题。
发明内容
本发明的一个目的是提供一种OLED器件及其制备方法,其能够解决目前的OLED器件存在的电压降的问题。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件;专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
H01L51-05 .专门适用于整流、放大、振荡或切换且并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的;具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的电容器或电阻器
H01L51-42 .专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射;专门适用于将这些辐射能转换为电能,或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制
H01L51-50 .专门适用于光发射的,如有机发光二极管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料选择