[发明专利]数据储存装置以及非挥发式存储器控制方法

说明书

本发明涉及非挥发式存储器的高效控制技术，尤其涉及数据储存装置以及非挥发式存储器控制方法。本发明的数据储存装置包括一非挥发式存储器以及一控制器。该控制器自该非挥发式存储器的多个闲置区块配置一主动区块填写一主机要求的写入数据。该控制器在这些闲置区块的数量小于一临界数量时，以该主动区块为该来源区块的有效数据的搬移目的地。该控制器在一第二来源区块符合一濒损条件时，以该主动区块为该第二来源区块的有效数据的搬移目的地。

技术领域

本发明有关于非挥发式存储器的控制。

背景技术

非挥发式存储器有多种形式─例如，快闪存储器(flash memory)、磁阻式随机存取存储器(Magnetoresistive RAM)、铁电随机存取存储器(Ferroelectric RAM)、电阻式随机存取存储器(Resistive RAM)、自旋转移力矩随机存取存储器(Spin Transfer Torque-RAM，STT-RAM)…等，用于长时间数据保存，可做为储存媒体实现一数据储存装置。

非挥发式存储器通常有其特殊的储存特性。本技术领域需要相应非挥发式存储器的储存特性发展相应的控制技术。

发明内容

根据本案本发明一种实施方式所实现的一数据储存装置包括一非挥发式存储器以及一控制器。该控制器自该非挥发式存储器的多个闲置区块配置一主动区块填写一主机要求的写入数据。该控制器在这些闲置区块的数量小于一临界数量时，以该主动区块为该来源区块的有效数据的搬移目的地。该控制器在一第二来源区块符合一濒损条件时，以该主动区块为该第二来源区块的有效数据的搬移目的地。

一种实施方式中，该控制器令一来源区块的有效数据完全搬移到该主动区块后，方允许另一来源区块的有效数据搬移到该主动区块。

一种实施方式中，该控制器以多个批次将一来源区块的有效数据搬移到该主动区块，并于不同批次间允许该主机发出的写入数据填入该主动区块。

一种实施方式中，该控制器估算一来源区块的有效数据量以及该主动区块的闲置空间之间的一比例，并根据该比例设定各批次搬移的有效数据量。根据该比例，该控制器还可设定两个批次之间允许该主机填入该主动区块的写入数据量。

一种实施方式中，该控制器估算一来源区块的有效数据量以及该主机要求的写入数据量之间的一比例，并根据该比例设定各批次搬移的有效数据量。

一种实施方式中，满足该濒损条件的该第二来源区块为错误更正失效。

一种实施方式中，满足该濒损条件的该第二来源区块是做预防性搬移。

一种实施方式中，满足该濒损条件的该第二来源区块是做损耗平均搬移。

一种实施方式中，该控制器将一来源区块的有效数据全数搬移到该主动区块后，是在该主动区块完成结尾写入前释出该来源区块为闲置区块。

一种实施方式中，该控制器操作一旗标。该控制器在一来源区块的有效数据全数搬移到该主动区块后，方以该旗标标示该主动区块允许保存其他来源区块的有效数据。

以上控制器对非挥发式存储器的操作也可以由其他结构实现。本发明还可以前述概念实现非挥发式存储器的控制方法，包括：根据一主机的要求操作一非挥发式存储器；自该非挥发式存储器的多个闲置区块配置一主动区块填写该主机要求的写入数据；在这些闲置区块的数量小于一临界数量时，以该主动区块为一第一来源区块的有效数据的搬移目的地；且在一第二来源区块符合一濒损条件时，以该主动区块为该第二来源区块的有效数据的搬移目的地。

下文特举实施例，并配合所附图示，详细说明本发明内容。

附图说明

图1根据本发明一种实施方式图解数据储存装置100；以及