[发明专利]一种单晶制绒工艺在审
申请号: | 201910323926.7 | 申请日: | 2019-04-22 |
公开(公告)号: | CN110112253A | 公开(公告)日: | 2019-08-09 |
发明(设计)人: | 邵玉林;邱凯坤;陶俊;张三洋;翟连方;宋准 | 申请(专利权)人: | 无锡琨圣科技有限公司 |
主分类号: | H01L31/18 | 分类号: | H01L31/18;H01L31/0236;C30B33/10 |
代理公司: | 北京科亿知识产权代理事务所(普通合伙) 11350 | 代理人: | 汤东凤 |
地址: | 214000 江苏省无*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 清洗 臭氧水 硅片 单晶制绒 超声波清洗 超声清洗 混合溶液 清洗工艺 清洗抛光 一键切换 有效解决 白点 碱溶液 酸溶液 烘干 制绒 生产工艺 过滤 保证 生产 | ||
1.一种单晶制绒工艺,其特征在于,包括以下步骤:
步骤一:碱溶液清洗抛光,通过机械手提拉将盛放硅片的花篮放入碱溶液槽进行碱抛光去除硅片损伤层;
步骤二:超声波清洗,通过超声波清洗槽将所述步骤一残留的碱液进行清洗;
步骤三:臭氧水清洗,通过臭氧水清洗槽将硅片表面略大的颗粒杂质进行清洗;
步骤四:水洗,通过水洗槽将步骤三残留的臭氧水溶液进行清洗;
步骤五:制绒,通过制绒槽在溶液KOH及添加剂条件下制备硅片表面金字塔陷光结构;
步骤六:水洗,通过水洗槽将步骤五中残留的碱液清洗掉;
步骤七:臭氧水清洗,去除步骤五制绒时添加剂残留和其它有机脏污;
步骤八:水洗,将步骤七残留的臭氧水溶液进行清洗;
步骤九:酸溶液清洗,通过溶液HCL、HF清洗硅片表面颗粒及金属杂质;
步骤十:水洗,将步骤九中残留的酸溶液进行清洗;
步骤十一:慢拉提过滤,通过机械手将花篮慢慢抬起过滤硅片在步骤十中残留的多余水份;
步骤十二:烘干,将硅片通过烘干槽、鼓风机结合加热灯管进行烘干。
2.根据权利要求1所述的一种单晶制绒工艺,其特征是,所诉步骤二超声波清洗通过在槽体内的在线加热器将水温加热在30~80度,热水搭配超声波震荡可以对硅片表面杂质进行有效清洗。
3.根据权利要求1所述的一种单晶制绒工艺,其特征是所述步骤一、步骤二之间及步骤六、步骤七之间可增加单独槽体盛放KOH/H2O2混合溶液,主要针对硅片原片质量较差较脏时使用,可自行一键开启或禁用保证工艺灵活性。
4.根据权利要求1所述的一种单晶制绒工艺,其特征是,所述步骤三臭氧水盛装在臭氧水槽中,臭氧水槽包括有槽体部分、臭氧发生装置、混合装置,具体的所述臭氧发生装置,包括臭氧发生器、HCL补液系统(臭氧在酸性条件下更稳定溶解度更高)、控制系统、进气口、出气口、冷却水、浓度检测仪,高浓度臭氧气体和槽内去离子水在泵作用下通过气液混合塔充分混合再通入槽内,形成一个循环混合的过程,所述臭氧发生装置可以采用一对一模式所述步骤三、步骤七分别配备一个臭氧发生器的方式,也可以选择一对二的模式,一台臭氧发生器匹配两个臭氧水槽,这样可以进一步降低设备投入和生产成本。
5.根据权利要求1所述的一提高硅片清洗工艺,其特征是,所述步骤五制绒槽位包含3~4个并联的制绒槽,由于制绒工序时间较长,设置多槽以确保产能。
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H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
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H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的