[发明专利]一种NAND闪存读取方法、系统及电子设备和存储介质

说明书

本申请公开了一种NAND闪存读取方法、系统及一种电子设备和计算机可读存储介质，该方法包括：接收对NAND闪存数据进行读取的读取命令；对所述NAND闪存数据进行检测判决，基于判决结果得到所述NAND闪存的初始数据，并对所述初始数据进行译码；若译码成功，则输出译码后数据；若译码失败，则利用预先训练得到的神经网络对所述初始数据进行纠错，得到纠错后数据，并在对所述纠错后数据译码成功后输出译码后数据。也即，本申请在对NAND闪存数据进行读取时，若对初始数据的译码操作失败，则利用预先训练的神经网络对初始数据进行纠错，从而有效减少数据误码率，提高了NAND闪存的可靠性。

技术领域

本申请涉及计算机技术领域，更具体地说，涉及一种NAND闪存读取方法、系统及一种电子设备和一种计算机可读存储介质。

背景技术

随着物联网、云计算、大数据的发展和应用，数据存储作为重要信息载体，对其可靠性的要求越来越高。传统的磁盘存储(Hard Disk Device，HDD)逐渐满足不了对数据存储的快速读写和存储容量的需求。近年来，存储工业发生了巨大的变革，以NAND闪存为介质的数据存储设备逐渐取代HDD，成为现在甚至未来的主要存储介质。

NAND型闪存主要由物理电路，感应放大器，硅片管脚和存储阵列等部分组成，图1为其平面结构图。其中存储阵列是NAND型闪存的最重要部分，负责数据的存储。存储单元是存储数据的最小单元，以一种特殊的组织结构进行排列，形成存储阵列。通常，一个存储阵列包含多个块，块为最小的擦除单元；每一个块包含多个页，页为最小的读写单元。一般一个块包含的页数为16的倍数。每一页是由4到8KB，甚至16KB的存储单元组成。

图2为NAND闪存存储阵列的基本结构。一定数量的存储单元通过串联形成一个NAND的串(string)，多个串按照固定的结构进行排列形成一个存储阵列。而逻辑页是由相同字线连接的存储单元所组成。

NAND闪存目前已经广泛应用于日常生活中，如智能手机、移动终端、服务器、云服务等。但是NAND闪存在发展过程中，随着工艺制程的不断提升和存储密度不断增加，存储单元中代表数据的状态所包含的电子数量变得更少，单元间干扰变得更加明显，使得NAND闪存越来越容易受到干扰，可靠性降低。

因此，如何解决NAND闪存可靠性降低的问题是本领域技术人员需要重点关注的。

发明内容

本申请的目的在于提供一种NAND闪存读取方法、系统及一种电子设备和一种计算机可读存储介质，有效减少数据误码率，提高NAND闪存的可靠性。

为实现上述目的，本申请提供了一种NAND闪存读取方法，包括：

接收对NAND闪存数据进行读取的读取命令；

对所述NAND闪存数据进行检测判决，基于判决结果得到所述NAND闪存的初始数据，并对所述初始数据进行译码；

若译码成功，则输出译码后数据；

若译码失败，则利用预先训练得到的神经网络对所述初始数据进行纠错，得到纠错后数据，并在对所述纠错后数据译码成功后输出译码后数据。

可选的，所述利用预先训练得到的神经网络对所述初始数据进行纠错，得到纠错后数据，包括：

判断当前读取页是否存在下一页；

如果是，则将所述当前读取页中处于重叠区的存储单元确定为待检测存储单元；

获取预先训练的所述神经网络的输入层对应的特征数据；

利用所述神经网络和所述特征数据计算得到目标数据，将所述待检测存储单元中的所述初始数据更新为所述目标数据，得到纠错后数据。

可选的，所述获取预先训练的所述神经网络的输入层对应的特征数据，包括：