[发明专利]一种半导体晶圆、键合结构及其键合方法有效
| 申请号： | 201910324533.8 | 申请日： | 2019-04-22 |
| 公开（公告）号： | CN110047911B | 公开（公告）日： | 2020-06-30 |
| 发明（设计）人： | 周云鹏;郭万里;胡杏;黄宇恒 | 申请（专利权）人： | 武汉新芯集成电路制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L23/544;H01L21/18 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 党丽;王宝筠 |
| 地址： | 430205 湖北*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 半导体 结构 及其 方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种半导体晶圆，其特征在于，包括：
半导体衬底；
衬底上的器件结构，以及所述器件结构的互连结构；
覆盖所述互连结构的顶层覆盖层；
设置于所述顶层覆盖层中且与所述互连结构接触连接的键合垫；
设置于所述顶层覆盖层中的键合对准图形，所述键合对准图形的图案由多个子图形组成，所述子图形由设置于顶层覆盖层中的点阵组成，所述键合对准图形包括多个区域，相邻区域中的子图形具有不同的延伸方向；
其中所述点阵为相互间隔且阵列排布的孔，所述点阵中的各点的尺寸与各点之间的间隔具有基本相同的尺寸。
2.根据权利要求1所述的晶圆，其特征在于，所述晶圆包括阵列排布的芯片区，所述器件结构形成于所述芯片区，所述键合对准图形形成于所述芯片区之间的切割道上。
3.根据权利要求1所述的晶圆，其特征在于，所述点阵中的各点为圆形柱、椭圆形柱或方形柱。
4.一种键合结构，其特征在于，包括多个晶圆，所述多个晶圆沿垂直于晶圆方向键合在一起，所述多个晶圆中的至少一个为权利要求1-3中任一项所述的晶圆。
5.一种晶圆的键合方法，其特征在于，包括：
提供待键合晶圆，所述待键合晶圆为如权利要求1-3中任一项所述的半导体晶圆；
利用所述待键合晶圆中的键合对准图形进行对准；
进行待键合晶圆与另一晶圆的键合。
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