[发明专利]光刻工艺监测方法

权利要求书

1.一种执行半导体器件的光刻工艺的方法，所述方法包括：

提供具有多条线的测试图案，所述多条线以第一间距和第二间距布置；

曝光所述测试图案以在半导体衬底上形成具有所述测试图案的测试结构；

测量所述测试结构，其中，所述测量包括：

确定所述多条线的第一线和所述多条线的第二线之间的第一距离，其中，所述多条线的至少第三线插入所述第一线和所述第二线，所述第一线和所述第二线由对称衍射产生，所述第三线由不对称衍射产生；

将所述第一距离与第一光刻参数的偏移相关联；

确定所述第三线和所述第一线之间的第二距离；

确定所述第三线和所述第二线之间的第三距离；

将所述第二距离和所述第三距离之间的差与第二光刻参数相关联；以及

在另一半导体衬底上曝光电路图案之前调整所述第一光刻参数。

2.根据权利要求1所述的方法，其中，使用扫描电子显微镜执行确定所述第一距离。

3.根据权利要求1所述的方法，其中，所述第一光刻参数是曝光剂量。

4.根据权利要求1所述的方法，其中，所述第三线以所述第二间距设置。

5.根据权利要求1所述的方法，其中，对于给定的曝光剂量水平，所述第一距离的测量是恒定的，从而根据所述第一距离得到曝光剂量的偏移。

6.根据权利要求5所述的方法，所述光刻工艺是极 紫外(EUV)工艺。

7.根据权利要求6所述的方法，其中，所述第二光刻参数是最佳聚焦。

8.一种执行光刻工艺的方法，所述方法包括：

提供测试图案，其中，所述测试图案包括以第一间距布置的第一组线、以所述第一间距布置的第二组线，并且其中，所述测试图案还包括位于所述第一组线和所述第二组线之间的至少一条参考线；

用辐射源曝光所述测试图案，以在衬底上形成测试图案结构，所述辐射源提供不对称的单极照射轮廓；

测量所述测试图案结构，其中，所述测量包括：

确定所述第一组线的第一线和所述第二组线的第二线之间的第一距离，所述第一线和所述第二线由对称衍射产生，所述至少一条参考线由不对称衍射产生；和

将所述第一距离与第一光刻参数的偏移相关联；

确定所述第一线和所述至少一条参考线的第一边缘之间的第二距离以及确定所述第二线和所述至少一条参考线的第二边缘之间的第三距离；

将所述第二距离和所述第三距离之间的差与第二光刻参数相关联；基于所述第一光刻参数的偏移来调整光刻工艺；以及

执行调整的光刻工艺以在另一衬底上曝光电路图案。

9.根据权利要求8所述的方法，其中，所述第一线是远离所述至少一条参考线的至少三条线。

10.根据权利要求9所述的方法，其中，所述第二线是远离所述至少一条参考线的至少三条线。

11.根据权利要求8所述的方法，其中，执行所述调整的光刻工艺是极紫外(EUV)工艺。

12.根据权利要求8所述的方法，其中，执行所述调整的光刻工艺是浸没式光刻工艺。

13.根据权利要求8所述的方法，其中，所述第一光刻参数是曝光剂量。

14.根据权利要求8所述的方法，其中，提供所述测试图案包括在反射掩模上形成所述测试图案。

15.根据权利要求8所述的方法，其中，提供所述测试图案包括在透射掩模上形成所述测试图案。