[发明专利]一种用于晶体生长的反应器

权利要求书

1.一种用于晶体生长的反应器，其特征在于，该反应器包括：坩埚组件，其包括：坩埚主体、坩埚盖和设置在坩埚主体内的至少一个螺旋隔板组件，装载在坩埚主体内的原料升华后至少部分经螺旋隔板组件形成的螺旋气流通道后进行晶体生长；位于坩埚盖内侧并适于支撑生长晶体的支撑部件；以及适于将所述坩埚组件保持在生长晶体的温度的加热部件；

所述螺旋隔板组件包括设置在原料区的原料区螺旋隔板和设置在气相传输区的气相传输区螺旋隔板。

2.根据权利要求1所述的用于晶体生长的反应器，其特征在于，所述坩埚组件可转动。

3.根据权利要求1所述的用于晶体生长的反应器，其特征在于，所述螺旋隔板组件的至少部分直径和其相同高度的坩埚主体内径相同。

4.根据权利要求3所述的用于晶体生长的反应器，其特征在于，所述螺旋隔板组件和坩埚主体内壁的构造包括形成均匀螺旋气流通道。

5.根据权利要求1所述的用于晶体生长的反应器，其特征在于，所述螺旋隔板组件的轴线与坩埚主体的轴线平行。

6.根据权利要求1所述的用于晶体生长的反应器，其特征在于，所述螺旋隔板组件包括2-6个螺旋叶片。

7.根据权利要求1所述的用于晶体生长的反应器，其特征在于，所述螺旋隔板组件为包括螺旋叶片的螺旋轴。

8.根据权利要求7所述的用于晶体生长的反应器，其特征在于，所述螺旋叶片的间距相同。

9.根据权利要求1-8中任一项所述的用于晶体生长的反应器，所述原料区螺旋隔板的螺旋角为60°-90°，垂直方向的单个叶面角度为90°-360°。

10.根据权利要求1-8中任一项所述的用于晶体生长的反应器，其特征在于，所述气相传输区螺旋隔板的螺旋角为60°-90°，垂直方向的单个叶面角度为60°-180°。

11.根据权利要求9所述的用于晶体生长的反应器，所述气相传输区螺旋隔板的螺旋角为60°-90°，垂直方向的单个叶面角度为60°-180°。

12.根据权利要求10所述的用于晶体生长的反应器，其特征在于，所述气相传输区螺旋隔板与原料区螺旋隔板的螺旋方向不同。

13.根据权利要求11所述的用于晶体生长的反应器，其特征在于，所述气相传输区螺旋隔板与原料区螺旋隔板的螺旋方向不同。

14.根据权利要求1-8中任一项所述的用于晶体生长的反应器，其特征在于，所述坩埚组件被绝热材料所包围，所述坩埚组件被插入石英容器内，所述加热部件为感应型，所述坩埚组件的材质包括石墨。

15.根据权利要求14所述的用于晶体生长的反应器，其特征在于，所述坩埚组件和绝热材料可转动。

16.根据权利要求9所述的用于晶体生长的反应器，其特征在于，所述坩埚组件被绝热材料所包围，所述坩埚组件被插入石英容器内，所述加热部件为感应型，所述坩埚组件的材质包括石墨。

17.根据权利要求16所述的用于晶体生长的反应器，其特征在于，所述坩埚组件和绝热材料可转动。

18.根据权利要求10所述的用于晶体生长的反应器，其特征在于，所述坩埚组件被绝热材料所包围，所述坩埚组件被插入石英容器内，所述加热部件为感应型，所述坩埚组件的材质包括石墨。

19.根据权利要求18所述的用于晶体生长的反应器，其特征在于，所述坩埚组件和绝热材料可转动。