[发明专利]一种固态硬盘纠错能力提升方法与固态硬盘

说明书

本发明提供了一种固态硬盘纠错能力提升方法与固态硬盘，涉及数据表纠错技术领域。通过当读取数据出现错误时，依据固态硬盘的存储颗粒确定基准中心电压，并且当依据基准中心电压对数据进行重读仍出现错误时，依据基准中心电压、预设定的步长调整中心电压，以提升固态硬盘的纠错能力。本发明提供的固态硬盘纠错能力提升方法与固态硬盘具有提升固态硬盘的纠错能力，从而提高了盘片稳定性与寿命的优点。

技术领域

本发明涉及数据表纠错技术领域，具体而言，涉及一种固态硬盘纠错能力提升方法与固态硬盘。

背景技术

当前，市场上很多的SSD的颗粒都只提供了Read retry等方法给使用者，用于纠正NAND上的数据翻转，或者主控厂商通过ldpc引擎做vth track(偏移电压读取数据)，通过这些方法可以获得一定程度的纠错能力。

然而，当出现vth track都不能纠正过来的NAND数据，这时候主机就会收到错误指示，无法实现数据，从而导致数据丢失的情况，因此盘片会更早的进入寿命末期。

综上所述，目前的固态硬盘的纠错能力较差。

发明内容

有鉴于此，本发明的目的在于提供一种固态硬盘纠错能力提升方法，以解决现有技术中固态硬盘的纠错能力较差的问题。

本发明的另一目的在于提供一种固态硬盘，以解决现有技术中固态硬盘的纠错能力较差的问题。

为了实现上述目的，本发明实施例采用的技术方案如下：

一方面，本发明实施例提供了固态硬盘纠错能力提升方法，所述固态硬盘纠错能力提升方法包括：

当读取数据出现错误时，依据固态硬盘的存储颗粒确定基准中心电压；

当依据所述基准中心电压对所述数据进行重读仍出现错误时，依据所述基准中心电压、预设定的步长调整中心电压，以提升所述固态硬盘的纠错能力。

进一步地，所述依据所述基准中心电压、预设定的步长调整中心电压的步骤包括：

按照不同的步长对所述基准中心电压进行升高或者降低，直至能够依据新的中心电压对所述数据进行纠错，或所述步长达到最大步长。

进一步地，所述步长包括正步长与负步长，所述按照不同的步长对所述基准中心电压进行升高或者降低，直至能够依据新的中心电压对所述数据进行纠错，或所述步长达到最大步长的步骤包括：

当利用正步长对所述基准中心电压进行升高或者降低，获取的数据翻转量增加时，则利用负步长对所述基准中心电压进行升高或者降低。

进一步地，所述固态硬盘纠错能力提升方法还包括：

当所述步长达到最大步长且对所述数据的纠错出现错误时，生成故障信号并输出。

进一步地，每个所述步长均包括多个子步长，所述按照不同的步长对所述基准中心电压进行升高或者降低的步骤包括：

依次按照每个子步长对所述基准中心电压进行升高或者降低。

进一步地，在所述当依据所述基准中心电压对所述数据进行重读仍出现错误时，依据所述基准中心电压、预设定的步长调整中心电压的步骤之后，所述固态硬盘纠错能力提升方法还包括：

当依据调整后的中心电压对所述数据正常纠错时，将所述调整后的中心电压作为目标中心电压；

当对相同类型的数据进行纠错时，依据所述目标中心电压进行纠错。

进一步地，所述固态硬盘纠错能力提升方法还包括：