[发明专利]微型发光二极管的制备方法

说明书

本发明公开了微型发光二极管的制备方法，属于发光二极管制作领域。在衬底上生长的n型层的生长转速为200～480rpm时，反应腔内的气流的转速与石墨盘的转速的同步度较高，气流可以较为均匀地沉积在衬底上得到n型层。进一步降低生长转速进行InGaN/GaN多量子阱层的生长，可保证InGaN/GaN多量子阱层以相较n型层更低的生长速率进行生长，In原子分布可以更均匀，InGaN/GaN多量子阱层中的In原子也有足够的时间渗入InGaN/GaN多量子阱层中，提高InGaN/GaN多量子阱层捕捉载流子的能力与微型发光二极管的发光均匀度。使p型层的生长转速高于n型层的生长转速，且p型层的生长转速高于n型层的生长转速，可提高p型层生长转速，避免镁原子扩散至InGaN/GaN多量子阱层中，保证InGaN/GaN多量子阱层的质量。

技术领域

本发明涉及发光二极管制作领域，特别涉及微型发光二极管的制备方法。

背景技术

LEDLight Emitting Diode，发光二极管是一种能发光的半导体电子元件。作为一种高效、环保、绿色新型固态照明光源，正在被迅速广泛地得到应用，如交通信号灯、汽车内外灯、城市景观照明、手机背光源等，提高芯片发光效率是LED不断追求的目标。

当前的微型发光二极管的外延片通常包括衬底及在衬底上依次生长的n型层、InGaN/GaN多量子阱层及p型层，当前的发光二极管能够满足一些场合的照明使用要求，但对一些要求较高的显示设备来说，当前的微型发光二极管的发光均匀度仍有待提高。

发明内容

本发明实施例提供了微型发光二极管的制备方法，能够提高微型发光二极管的发光均匀度。所述技术方案如下：

本发明实施例提供了一种微型发光二极管的外延片的制备方法，其特征在于，所述制备方法包括：

提供一衬底；

在所述衬底上依次生长n型层、InGaN/GaN多量子阱层与p型层；

所述InGaN/GaN多量子阱层的生长转速、所述n型层的生长转速、所述p型层的生长转速均为200～480rpm，所述InGaN/GaN多量子阱层的生长转速、所述n型层的生长转速、所述p型层的生长转速依次增加。

可选地，所述n型层的生长转速与所述InGaN/GaN多量子阱层的生长转速之差为50～150rpm。

可选地，所述p型层的生长转速与所述n型层的生长转速之差为100～200rpm。

可选地，所述n型层的生长转速、所述InGaN/GaN多量子阱层的生长转速与所述p型层的生长转速为等差数列。

可选地，在所述n型层上生长所述InGaN/GaN多量子阱层，包括：

在所述n型层上交替生长InGaN阱层与GaN垒层，所述InGaN阱层的生长转速为200～350rpm，所述InGaN阱层的生长温度为760～780℃。

可选地，生长所述InGaN阱层时，向反应腔内通入的In的流量为1000～2400sccm。

可选地，生长所述InGaN阱层时，向所述反应腔内通入的Ga的流量为100～300sccm，向所述反应腔内通入的NH₃的流量为50～200L/min。

可选地，所述GaN垒层的生长转速为200～350rpm，所述GaN垒层的生长温度为860～890℃。

可选地，所述p型层的生长转速为200～480rpm。

可选地，所述n型层的生长转速为200～400rpm。