[发明专利]包括非易失性存储器件和控制器的存储设备

权利要求书

1.一种存储设备，所述存储设备包括：

控制器，所述控制器被配置为：

从外部主机设备接收第一写入请求，以及

基于所述第一写入请求，发送第一清除命令、第一写入数据和第一写入命令，所述第一写入命令与所述第一写入请求相关联；以及

非易失性存储器件，所述非易失性存储器件包括多个存储块，所述多个存储块中的每个存储块具有与其相关联的存储单元，所述非易失性存储器件被配置为：

响应于从所述控制器接收到的所述第一清除命令，清除先前写入到所述多个存储块中的第一存储块的第一存储单元的第一数据，以及

响应于从所述控制器接收到的所述第一写入命令，将所述第一写入数据写入到所述第一存储块的第二存储单元。

2.根据权利要求1所述的存储设备，其中，依据写入到所述第一存储单元的所述第一数据，所述第一存储单元的阈值电压分布到至少四个阈值电压范围，并且其中，响应于所述第一清除命令，所述非易失性存储器件被配置为通过对所述第一存储单元执行清除写入操作来清除所述第一数据，所述清除写入操作包括增加所述第一存储单元中与所述至少四个阈值电压范围中的至少一个阈值电压范围对应的第一存储单元的阈值电压。

3.根据权利要求1所述的存储设备，其中，依据写入到所述第一存储单元的所述第一数据，所述第一存储单元的阈值电压分布到至少四个阈值电压范围，并且其中，响应于所述第一清除命令，所述非易失性存储器件被配置为对所述第一存储单元执行清除写入操作，所述清除写入操作包括将所述第一存储单元的阈值电压增加到所述至少四个阈值电压范围中的最高阈值电压范围。

4.根据权利要求1所述的存储设备，其中，响应于所述第一清除命令，所述非易失性存储器件对所述第一存储块的所述第一存储单元执行清除写入操作，并且其中，所述清除写入操作包括编程循环，所述清除写入操作的编程循环包括：

向所述第一存储单元施加编程电压；以及

向所述第一存储单元施加一个验证电压。

5.根据权利要求1所述的存储设备，其中，响应于所述第一清除命令，所述非易失性存储器件对所述第一存储块的所述第一存储单元执行清除写入操作，其中所述清除写入操作包括编程循环，所述清除写入操作的编程循环包括：

向所述第一存储单元施加编程电压，使得在所述编程循环中不向所述第一存储单元施加验证电压。

6.根据权利要求5所述的存储设备，其中，所述非易失性存储器件被配置为：当所述编程循环被执行阈值次数时，结束所述清除写入操作。

7.根据权利要求1所述的存储设备，其中，所述控制器被配置为：

从所述外部主机设备接收第二写入请求，

响应于所述第二写入请求，向所述非易失性存储器件发送用于所述第一存储块的所述第二存储单元的第二清除命令，以及

响应于所述第一存储块的存储容量充足，将与所述第二写入请求相关联的第二写入数据和第二写入命令发送到所述非易失性存储器件，使得所述非易失性存储器件对所述第一存储块的第三存储单元执行写入操作。

8.根据权利要求1所述的存储设备，其中，所述控制器被配置为：

从所述外部主机设备接收第二写入请求，

响应于所述第二写入请求，向所述非易失性存储器件发送用于所述第一存储块的所述第二存储单元的第二清除命令，以及

响应于所述第一存储块的存储容量不足，将与所述第二写入请求相关联的第二写入数据和第二写入命令发送到所述非易失性存储器件，使得所述非易失性存储器件对所述多个存储块中的第二存储块的第三存储单元执行写入操作。

9.根据权利要求1所述的存储设备，其中，所述控制器被配置为：

从所述外部主机设备接收第二写入请求，

响应于与所述第二写入请求相关联的第二写入数据不是用于更新所述第一写入数据的数据，向所述非易失性存储器件发送所述第二写入数据和第二写入命令，使得所述非易失性存储器件对所述多个存储块中的第二存储块的第三存储单元执行写入操作。