[发明专利]一种显示面板在审
申请号: | 201910327471.6 | 申请日: | 2019-04-23 |
公开(公告)号: | CN110120407A | 公开(公告)日: | 2019-08-13 |
发明(设计)人: | 陈娜娜;井口真介 | 申请(专利权)人: | 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 |
主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32 |
代理公司: | 深圳翼盛智成知识产权事务所(普通合伙) 44300 | 代理人: | 黄威 |
地址: | 518132 广东省深*** | 国省代码: | 广东;44 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 显示面板 阴极 接触孔 发光均匀性 辅助电极 中心方向 逐渐增大 | ||
本发明公开了一种显示面板,包括阴极以及通过多个接触孔与所述阴极连接的辅助电极;在所述显示面板的至少一边界到所述显示面板的中心方向上,所述接触孔的分布密度逐渐增大,从而改善显示面板发光均匀性问题。
技术领域
本发明涉及显示面板技术领域,尤其涉及一种显示面板。
背景技术
传统的OLED采用真空蒸镀技术,目前可实现量产化。但是该技术需要采用精细掩模版,导致材料利用率低;另外,如果对于大尺寸面板,掩模版的制备工艺饱受挑战。近些年,印刷显示技术(喷墨打印,Ink jet printing,IJP)发展迅速。IJP是OLED实现大尺寸以及低成本生产的最佳途径。
目前IJP显示面板点亮存在电压降的问题,此问题对发光均匀性影响较为明显。业界有采用辅助电极来改善此种问题,虽然该方法相比传统显示面板对器件发光有改善作用,但由于显示面板的外电压均是从其边缘外输入进去,存在电阻,故对于器件发光均匀性改善不明显,器件的中间区域发光亮度依旧较低。
发明内容
本发明实施例提供一种显示面板,以解决现有显示面板发光均匀性不佳的问题。
本发明实施例提供了一种显示面板,包括阴极以及通过多个接触孔与所述阴极连接的辅助电极;
在所述显示面板的至少一边界到所述显示面板的中心方向上,所述接触孔的分布密度逐渐增大。
进一步地,所述显示面板的至少一边界处设置有边缘区域;
所述边缘区域中的接触孔的分布密度为0。
进一步地,所述显示面板的所述边界处设置有边缘区域;
所述边缘区域中的接触孔的分布密度为0,且在所述边缘区域到所述显示面板的中心方向上,所述接触孔的分布密度逐渐增大。
进一步地,所述显示面板的其余边界处设置有边缘区域;
所述边缘区域中的接触孔的分布密度为0,且在所述边缘区域到所述显示面板的中心方向上,所述接触孔均匀分布。
在一个实施方式中,在所述显示面板的相对两边界到所述显示面板的中心方向上,所述接触孔的分布密度逐渐增大;在所述显示面板的另外相对两边界到所述显示面板的中心方向上,所述接触孔均匀分布。
在另一个实施方式中,所述显示面板的相对两边界处设置有边缘区域;
所述边缘区域中的接触孔的分布密度为0,且在所述边缘区域到所述显示面板的中心方向上,所述接触孔的分布密度逐渐增大;在所述显示面板的另外相对两边界到所述显示面板的中心方向上,所述接触孔均匀分布。
进一步地,所述边缘区域的宽度等于所述边缘区域到所述显示面板的中心的距离。
进一步地,所述接触孔的形状包括方形。
进一步地,所述显示面板还包括设置在所述阴极和所述辅助电极之间的像素界定层;
所述接触孔贯穿所述像素界定层。
进一步地,所述显示面板还包括:
衬底基板,所述衬底基板上设置有阵列分布的像素区域;
阳极,对应所述像素区域阵列分布于所述衬底基板上;
发光层,对应所述像素区域设置于所述阳极层上;所述阴极层设置于所述发光层上;所述辅助电极与所述阳极层绝缘,并对应相邻两所述像素区域之间的间隙位置设置于所述衬底基板上。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于深圳市华星光电半导体显示技术有限公司,未经深圳市华星光电半导体显示技术有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201910327471.6/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:一种发光器件及其制作方法、和显示面板
- 下一篇:OLED显示面板
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的