[发明专利]发光元件在审
| 申请号： | 201910327489.6 | 申请日： | 2019-04-23 |
| 公开（公告）号： | CN110416381A | 公开（公告）日： | 2019-11-05 |
| 发明（设计）人： | 森祐太;船蔵优作 | 申请（专利权）人： | 日亚化学工业株式会社 |
| 主分类号： | H01L33/46 | 分类号： | H01L33/46;H01L33/38 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人： | 陆悦 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 侧接触面 发光元件 半导体层积体 侧接触 发光层 绝缘膜 光取出效率 方式设置 俯视观察 光取出面 正向电压 光取出 相反侧 中央部 包围 | ||
1.一种发光元件，具备半导体层积体，该半导体层积体具有：n型半导体层，其包括光取出面和n侧接触面，该n侧接触面设于所述光取出面的相反侧；发光层，其设于所述n型半导体层的除所述n侧接触面以外的区域；p型半导体层，其设于所述发光层上；其特征在于，
俯视观察时，
所述p型半导体层以包围所述n侧接触面的方式设置，
所述发光元件具备：
第一绝缘膜，其设于所述n侧接触面的包含中央部的区域；
n侧电极，其具有n接触部，该n接触部设于所述n侧接触面中的所述第一绝缘膜的周围且与所述n侧接触面接触；
p侧电极，其设于所述p型半导体层上，与所述p型半导体层接触。
2.如权利要求1所述的发光元件，其特征在于，
所述n侧接触面为圆形状，
所述第一绝缘膜为圆形状。
3.如权利要求1或2所述的发光元件，其特征在于，
所述第一绝缘膜的截面形状为具有上底和比所述上底长的下底的梯形，所述下底位于其与所述n侧接触面的交界面。
4.如权利要求1所述的发光元件，其特征在于，
所述n接触部的面积为所述n侧接触面的面积的40％以上且70％以下。
5.如权利要求1所述的发光元件，其特征在于，
俯视观察时，在由所述n侧接触面围成的区域设有所述半导体层积体的一部分，所述半导体层积体的所述一部分比所述n侧接触面突出，
所述第一绝缘膜将所述半导体层积体的所述一部分的上表面及侧面覆盖。
6.如权利要求5所述的发光元件，其特征在于，
还具备设于所述第一绝缘膜与所述半导体层积体的所述一部分之间的反射膜。
7.如权利要求1所述的发光元件，其特征在于，
还具备设于所述p侧电极之上的第二绝缘膜，
所述n侧电极具有设于所述第二绝缘膜上、且与所述n接触部相连的外部连接部。
8.如权利要求7所述的发光元件，其特征在于，
所述第二绝缘膜也设于所述p型半导体层的侧面、所述发光层的侧面、所述n型半导体层的侧面、以及所述n侧接触面的外周区域。
9.如权利要求7所述的发光元件，其特征在于，
所述第一绝缘膜及所述第二绝缘膜是同种材料的膜。
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