[发明专利]包括标准单元的集成电路以及制造集成电路的方法在审
申请号: | 201910327491.3 | 申请日: | 2019-04-23 |
公开(公告)号: | CN110828449A | 公开(公告)日: | 2020-02-21 |
发明(设计)人: | 金珍泰;赵成伟;宋泰中;李昇映;林辰永 | 申请(专利权)人: | 三星电子株式会社 |
主分类号: | H01L27/02 | 分类号: | H01L27/02;H01L27/088 |
代理公司: | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人: | 屈玉华 |
地址: | 韩国*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 包括 标准 单元 集成电路 以及 制造 方法 | ||
1.一种集成电路,包括:
第一标准单元,包括在第一水平方向上延伸的第一有源区和第二有源区以及在与所述第一水平方向正交的第二水平方向上延伸的第一栅极线;和
第二标准单元,其包括在所述第一水平方向上延伸的第三有源区和第四有源区以及在所述第二水平方向上与所述第一栅极线对准的第二栅极线并与所述第一标准单元相邻,
其中所述第二有源区和所述第三有源区彼此相邻,其中所述第二有源区与所述第三有源区之间的距离大于所述第一有源区和所述第二有源区之间的距离,并且其中所述第二有源区和所述第三有源区之间的距离大于所述第三有源区和所述第四有源区之间的距离。
2.根据权利要求1所述的集成电路,还包括在所述第二有源区与所述第三有源区之间的区域上的导电层中在所述第一水平方向上延伸的电源线,其中所述电源线配置为向所述第一标准单元和所述第二标准单元提供电源电压。
3.根据权利要求2所述的集成电路,还包括在所述导电层中的多条信号线,其中所述多条信号线在所述第二水平方向上彼此间隔开第一节距并在所述第一水平方向上延伸,并且其中所述电源线的宽度至少比所述信号线的宽度大所述第一节距。
4.根据权利要求2所述的集成电路,其中所述第一标准单元包括第一通路,所述第一通路配置为向所述第一标准单元提供所述电源电压并布置在所述电源线的第一边缘处,并且其中所述第二标准单元包括第二通路,所述第二通路配置为向所述第二标准单元提供所述电源电压并布置在所述电源线的面对所述电源线的所述第一边缘的第二边缘处。
5.根据权利要求1所述的集成电路,还包括:第一电源线和第二电源线,彼此间隔开并分别在所述第一水平方向上在所述第二有源区与所述第三有源区之间的区域上的导电层中延伸,其中所述第一电源线和所述第二电源线分别配置为向所述第一标准单元和所述第二标准单元提供电源电压。
6.根据权利要求1所述的集成电路,还包括在所述第一水平方向上延伸的多个鳍,其中所述多个鳍在所述第二水平方向上彼此间隔开第二节距,并且其中所述第一标准单元和所述第二标准单元之间在所述第二水平方向上的距离为零或所述第二节距的倍数。
7.根据权利要求1所述的集成电路,其中所述第一有源区和所述第二有源区由第一扩散中断终止,其中所述第三有源区和所述第四有源区通过在所述第二水平方向上与所述第一扩散中断对准的第二扩散中断终止,并且其中所述第一扩散中断和所述第二扩散中断在所述第二水平方向上分隔开。
8.一种集成电路,包括多个标准单元,所述集成电路包括:
多个有源区对,每个有源区对包括在第一水平方向上延伸的第一导电类型的第一有源区和第二导电类型的第二有源区,其中每个有源区对的所述第一有源区和所述第二有源区彼此相邻;和
多条栅极线,在与所述第一水平方向正交的第二水平方向上延伸,
其中所述多个有源区对包括彼此相邻布置的第一有源区对和第二有源区对,使得所述第一有源区对和所述第二有源区对之间的距离大于所述第一有源区对中的所述第一有源区和所述第二有源区之间的距离。
9.根据权利要求8所述的集成电路,还包括:多个电源线,在所述第一水平方向上在所述多个有源区对之间的区域上的导电层中延伸,并配置为向所述多个标准单元提供电源电压。
10.根据权利要求9所述的集成电路,还包括多个信号线,布置在所述导电层中的所述多个电源线之间,其中所述多个信号线在所述第二水平方向上彼此间隔开第一节距并在所述第一水平方向上延伸,并且其中每条电源线的宽度至少比所述信号线的宽度大所述第一节距。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的