[发明专利]阵列基板及其制备方法有效
申请号: | 201910327910.3 | 申请日: | 2019-04-23 |
公开(公告)号: | CN110061013B | 公开(公告)日: | 2021-06-01 |
发明(设计)人: | 聂晓辉 | 申请(专利权)人: | 武汉华星光电技术有限公司 |
主分类号: | H01L27/12 | 分类号: | H01L27/12;H01L21/77 |
代理公司: | 深圳翼盛智成知识产权事务所(普通合伙) 44300 | 代理人: | 黄威 |
地址: | 430079 湖北省武汉市*** | 国省代码: | 湖北;42 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 阵列 及其 制备 方法 | ||
一种阵列基板,包括衬底、设置于所述衬底上的第一数据线、设置于所述第一数据线上的第一绝缘层、以及设置于所述第一绝缘层上的第二数据线,其中,所述第一绝缘层上设置有第一过孔,所述第二数据线通过所述第一过孔与所述第一数据线连接。有益效果为通过设置双层数据线,增大数据线的面积,从而降低数据线的阻抗,进而提高远端像素的充电能力和提高面板的显示品质。
技术领域
本发明涉及显示技术领域,尤其涉及一种阵列基板及其制备方法。
背景技术
提高分辨率和增大有效显示面积是中小尺寸显示面板发展的两个重要方向。通过增加像素数量来提高显示面板的分辨率,一方面导致驱动芯片的负载增大,驱动能力下降,另一方面负责像素信号写入的数据线的长度会随着像素数量和面板尺寸的增加而增长,而数据线一般为金属材料,会导致金属阻抗的显著增大,从而导致远端像素的充电能力不足,进而导致面板显示不均。
发明内容
本发明提供一种阵列基板,以解决现有的显示面板,由于采取增加像素数量来提高面板的分辨率,使得阵列基板上的数据线所需的长度增长,导致数据线的阻抗增大,进而导致远端像素充电能力不足,从而导致显示不均的技术问题。
为解决上述问题,本发明提供的技术方案如下:
本发明提供一种阵列基板,包括衬底、设置于所述衬底上的第一数据线、设置于所述第一数据线上的第一绝缘层、以及设置于所述第一绝缘层上第二数据线,所述第一绝缘层上设置有第一过孔,其中,所述第二数据线通过所述第一过孔与所述第一数据线连接。
在本发明的一种实施例中,所述第一数据线在所述衬底上的正投影与所述第二数据线在所述衬底上的正投影重合。
在本发明的一种实施例中,所述阵列基板还包括缓冲层、有源层、栅极、以及第二绝缘层。
在本发明的一种实施例中,所述有源层设置于所述第一数据线上,所述栅极设置于所述有源层上。
在本发明的一种实施例中,所述第一数据线在所述衬底上的正投影覆盖所述有源层在所述衬底上的正投影。
在本发明的一种实施例中,所述缓冲层设置于所述第一数据线与所述有源层之间,所述第一绝缘层设置于所述栅极与所述有源层之间,所述第二绝缘层设置于所述第二数据线与所述栅极之间。
在本发明的一种实施例中,所述第二绝缘层上设置有第二过孔,所述缓冲层上设置有第三过孔。
在本发明的一种实施例中,所述第三过孔、所述第二过孔、以及所述第一过孔相互连通,所述第二数据线通过所述第三过孔、所述第二过孔、以及所述第一过孔与所述第一数据线连接。
本发明还提供一种阵列基板的制备方法,包括以下步骤:
S10,提供一衬底,在所述衬底上形成第一数据线;
S20,在所述衬底上形成第一绝缘层,所述第一绝缘层设置有第一过孔;
S30,在所述第一绝缘层上形成第二数据线,所述第二数据线通过所述第一过孔与所述第一数据线连接。
在本发明的一种实施例中,所述第一数据线在所述衬底上的正投影与所述第二数据线在所述衬底上的正投影重合。
本发明的有益效果为:本发明通过设置双层数据线,增大数据线的面积,从而降低数据线的阻抗,进而提高远端像素的充电能力和提高面板的显示品质。
附图说明
为了更清楚地说明实施例或现有技术中的技术方案,下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单介绍,显而易见地,下面描述中的附图仅仅是发明的一些实施例,对于本领域普通技术人员来讲,在不付出创造性劳动的前提下,还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1为本发明的阵列基板的结构示意图;
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的