[发明专利]二次安全保护元件的制造方法、芯片及设备在审
| 申请号： | 201910328129.8 | 申请日： | 2019-04-23 |
| 公开（公告）号： | CN110223811A | 公开（公告）日： | 2019-09-10 |
| 发明（设计）人： | 陈瑜;田宗谦 | 申请（专利权）人： | 深圳市金瑞电子材料有限公司 |
| 主分类号： | H01C7/02 | 分类号： | H01C7/02;H01C1/14 |
| 代理公司： | 深圳市华优知识产权代理事务所(普通合伙) 44319 | 代理人： | 余薇 |
| 地址： | 518000 广东省深圳市龙华区观湖*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 安全保护元件 高分子正温度系数 热敏电阻 上下电极 蚀刻区域 芯料 芯片 制造 高分子聚合物 蚀刻 产品良率 目标电阻 上下表面 生产效率 电阻 密炼 膜压 压合 造粒 | ||
1.一种二次安全保护元件的制造方法，其特征在于，包括：
通过对高分子聚合物进行密炼、造粒和压合以形成高分子正温度系数热敏电阻芯料；
将上下电极膜压合在形成的高分子正温度系数热敏电阻芯料上下表面上；以及
通过蚀刻在上下电极膜上形成蚀刻区域。
2.根据权利要求1所述的二次安全保护元件的制造方法，其特征在于，所述通过蚀刻在上下电极膜上形成蚀刻区域，包括：
根据形成的高分子正温度系数热敏电阻芯料的电阻、面积和目标电阻计算蚀刻区域的蚀刻面积；以及
根据计算的蚀刻面积在上下电极膜上形成蚀刻区域。
3.根据权利要求2所述的二次安全保护元件的制造方法，其特征在于，所述通过蚀刻在上下电极膜上形成蚀刻区域，还包括：
设置蚀刻区域的蚀刻位置；
根据计算的蚀刻面积和设置的蚀刻位置在上下电极膜上形成蚀刻区域。
4.根据权利要求3所述的二次安全保护元件的制造方法，其特征在于，还包括：在所述高分子正温度系数热敏电阻芯料两端面中间位置形成导通孔。
5.根据权利要求4所述的二次安全保护元件的制造方法，其特征在于，所述蚀刻位置远离高分子正温度系数热敏电阻芯料的两端面的导通孔。
6.根据权利要求4所述的二次安全保护元件的制造方法，其特征在于，所述蚀刻位置在所述上下电极膜的中间。
7.根据权利要求4所述的二次安全保护元件的制造方法，其特征在于，所述蚀刻区域使上下电极膜电气断开。
8.根据权利要求1所述的二次安全保护元件的制造方法，其特征在于，所述蚀刻区域为长方形或圆弧形。
9.一种二次安全保护元件，其特征在于，包括上下电极膜和高分子正温度系数热敏电阻芯料，所述上下电极膜包括蚀刻区域，所述上下电极膜压合在所述高分子正温度系数热敏电阻芯料的上下表面。
10.一种高分子正温度系数热敏电阻设备，其特征在于，包括如权利要求9所述的二次安全保护元件。
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