[发明专利]一种C/C-TiC陶瓷基复合材料及原位反应法制备该陶瓷基复合材料的方法

权利要求书

1.一种原位反应法制备C/C-TiC陶瓷基复合材料的方法，其特征在于，包括如下步骤：

(1)在碳纤维预制体表面制备SiC界面层；

(2)第一高温处理：将步骤(1)制得的带有SiC界面层的碳纤维预制体进行第一高温处理；

(3)浸渍、固化和裂解：将经步骤(2)处理后得到的材料依次进行浸渍、固化和裂解，重复上述工序，直至达到设计要求；用于进行浸渍的胶液包含氨酚醛树脂和粒径不超过100nm的球形钛粉；

(4)第二高温处理：将步骤(3)获得的材料进行第二高温处理，得到C/C-TiC陶瓷基复合材料。

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，钛粉与氨酚醛树脂的质量比为(5～9)：10。

3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述胶液还包含稀释剂；优选地，稀释剂为苯酚或醇类化合物，进一步优选地，所述稀释剂与氨酚醛树脂的质量比为(1～2):1。

4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述SiC界面层的厚度为8～15微米。

5.根据权利要求4所述的方法，其特征在于，采用化学气相渗透法制备所述SiC界面层。

6.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，在惰性气氛下进行所述第一高温处理，和

所述第一高温处理的温度为1600～1700℃，保温时间为2～4小时。

7.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，在惰性气氛下进行所述第二高温处理，和

所述第二高温处理的温度为1650～1750℃，保温时间为0.5～2小时。

8.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述浸渍为真空浸渍，真空度为-0.1～-0.3MPa，浸渍液没过工件至少10mm，浸渍时间50～60min；

所述固化为压力固化，压力为1～1.5MPa，固化温度为230～240℃，保温1.5～2h；和/或

所述裂解为常压裂解，裂解温度为750～800℃。

9.根据权利要求8所述的方法，其特征在于，重复所述浸渍、所述固化和所述裂解步骤，使材料的增重不超过1％。

10.一种C/C-TiC陶瓷基复合材料，其特征在于，采用权利要求1至9任一项所述方法制得。