[发明专利]一种有机发光二极管显示器及其制作方法

权利要求书

1.一种有机发光二极管显示器的制作方法，其特征在于，包括：

在衬底基板上制作导电层，对所述导电层进行图案化处理形成阳极和辅助电极；

在所述阳极、所述辅助电极以及未被所述阳极和所述辅助电极覆盖的衬底基板上形成像素定义层；

在所述像素定义层上对应于所述阳极的位置形成像素开口；在所述像素定义层上对应于所述辅助电极的位置形成凹槽；

在位于所述像素开口内形成有机功能层；

在所述有机功能层、所述凹槽中靠近所述阳极侧的区域内以及所述像素定义层上形成电子传输层；其中所述凹槽内未填充有电子传输层的区域形成连接孔；

在所述电子传输层上和所述连接孔内形成阴极，所述阴极通过所述连接孔与所述辅助电极连接；

其中所述在所述像素定义层上对应于所述辅助电极的位置形成凹槽的步骤包括：

对像素定义层进行图案化处理，以使与所述辅助电极对应的像素定义层形成间隔设置的第一像素定义单元和第二像素定义单元；所述第一像素定义单元靠近所述阳极；

对所述第二像素定义单元进行刻蚀，形成凹槽，所述凹槽的纵截面的形状为平行四边形；

所述凹槽是采用激光刻蚀方式对所述第二像素定义单元进行刻蚀形成的；所述激光刻蚀中所使用的激光束与所述辅助电极所在的平面之间的夹角的范围为大于40°小于180°；所述电子传输层是采用蒸镀方式制作形成的，所述电子传输层蒸镀过程中所使用的蒸镀源与所述衬底基板所在的平面之间的夹角的范围为大于0°小于40°，所述电子传输层覆盖所述第一像素定义单元和部分所述凹槽的底部；所述阴极是采用蒸镀方式制作形成的，所述阴极在蒸镀过程中所使用的蒸镀源与所述衬底基板所在的平面之间的夹角的范围为大于40°小于180°，所述第二像素定义单元靠近所述第一像素定义单元侧的侧壁上未覆盖所述阴极。

2.根据权利要求1所述的有机发光二极管显示器的制作方法，其特征在于，所述连接孔靠近所述第二像素定义单元侧。

3.根据权利要求1所述的有机发光二极管显示器的制作方法，其特征在于，所述电子传输层的蒸镀过程中所使用的蒸镀源为线源。

4.根据权利要求1所述的有机发光二极管显示器的制作方法，其特征在于，所述有机功能层通过喷墨打印方式或者蒸镀方式制作形成的。

5.一种有机发光二极管显示器，其特征在于，包括：

衬底基板；

导电层，设于所述衬底基板上，所述导电层包括阳极和辅助电极；

像素定义层，设于所述阳极、所述辅助电极以及未被所述阳极和所述辅助电极覆盖的衬底基板上；所述像素定义层上与所述阳极对应的位置设置有像素开口；所述像素定义层上与所述辅助电极对应的位置设置有凹槽；其中与所述辅助电极对应的像素定义层包括间隔设置的第一像素定义单元和第二像素定义单元；所述第一像素定义单元靠近所述阳极；所述凹槽的纵截面的形状为平行四边形，所述凹槽是通过对所述像素定义层进行图案化处理，再采用激光刻蚀方式对所述第二像素定义单元进行刻蚀形成的；所述激光刻蚀中所使用的激光束与所述辅助电极所在的平面之间的夹角的范围为大于40°小于180°；

有机功能层，设于所述像素开口内；

电子传输层，设于所述有机功能层、所述凹槽中靠近所述阳极侧的区域内以及所述像素定义层上，所述电子传输层覆盖所述第一像素定义单元和部分所述凹槽的底部，所述电子传输层是采用蒸镀方式制作形成的，所述电子传输层蒸镀过程中所使用的蒸镀源与所述衬底基板所在的平面之间的夹角的范围为大于0°小于40°；

阴极，设于所述电子传输层上和连接孔内，所述阴极通过所述连接孔与所述辅助电极连接，其中所述连接孔为所述凹槽内未填充有电子传输层的区域，所述第二像素定义单元靠近所述第一像素定义单元侧的侧壁上未覆盖阴极，所述阴极是采用蒸镀方式制作形成的，所述阴极在蒸镀过程中所使用的蒸镀源与所述衬底基板所在的平面之间的夹角的范围为大于40°小于180°。

6.根据权利要求5所述的有机发光二极管显示器，其特征在于，所述阴极与所述辅助电极之间的接触面积小于预设面积。