[发明专利]谐振器、晶片及谐振器制造方法

权利要求书

1.一种谐振器，其特征在于，包括：

衬底；

多层结构，形成于所述衬底上，所述多层结构由下至上依次包括下电极层、压电层、上电极层和声镜对；

所述上电极层和下电极层中的至少一者包括：电极层和温度补偿层；

其中，在所述衬底和所述多层结构之间形成有腔体，所述腔体包括位于所述衬底上表面之下的下半腔体和超出所述衬底上表面并向所述多层结构突出的上半腔体。

2.根据权利要求1所述的谐振器，其特征在于，所述多层结构还包括：钝化层，其设置在声镜对上。

3.根据权利要求1所述的谐振器，其特征在于，所述温度补偿层为位于所述上电极层或下电极层内的埋入温度补偿层。

4.根据权利要求3所述的谐振器，其特征在于，所述温度补偿层具有锥形边缘。

5.根据权利要求1所述的谐振器，其特征在于，所述声镜对包括：

低声阻抗层，形成在所述上电极层上；

高声阻抗层，形成在所述低声阻抗层上。

6.根据权利要求5所述的谐振器，其特征在于，所述低声阻抗层形成材料包括二氧化硅、氮化铝、碳化硅、硼硅玻璃、氮化硅、多晶硅及多晶硅类似物中的一种。

7.根据权利要求1至6任一项所述的谐振器，其特征在于，所述下半腔体由底壁和第一侧壁围成，所述底壁整体与所述衬底表面平行，所述第一侧壁为由所述底壁边缘延伸至所述衬底上表面的第一圆滑曲面；

所述第一圆滑曲面包括圆滑过渡连接的第一曲面和第二曲面。

8.根据权利要求1至6任一项所述的谐振器，其特征在于，所述上半腔体由所述多层结构的下侧面围成，所述多层结构与所述上半腔体对应的部分包括顶壁和第二侧壁围成，所述第二侧壁为由所述顶壁边缘延伸至所述衬底上表面的第二圆滑曲面；

所述第二圆滑曲面包括圆滑过渡连接的第三曲面和第四曲面。

9.一种具有多个谐振器的晶片，其特征在于，所述多个谐振器可通过切割所述晶片彼此分离，所述晶片包括：

衬底；

多层结构，形成于所述衬底上，所述多层结构由下至上依次包括下电极层、压电层、上电极层、低声阻抗层和高声阻抗层；

所述上电极层和下电极层中的至少一者包括温度补偿层，所述温度补偿层具有正温度系数；

其中，在所述衬底和所述多层结构之间形成有腔体，所述腔体包括位于所述衬底上表面之下的下半腔体和超出所述衬底上表面并向所述多层结构突出的上半腔体。

10.根据权利要求9所述的晶片，其特征在于，所述晶片还包括：

钝化层，设置在所述高声阻抗层上。

11.根据权利要求9所述的晶片，其特征在于，所述下半腔体由底壁和第一侧壁围成，所述底壁整体与所述衬底表面平行，所述第一侧壁为由所述底壁边缘延伸至所述衬底上表面的第一圆滑曲面；

所述第一圆滑曲面包括圆滑过渡连接的第一曲面和第二曲面。

12.根据权利要求9所述的晶片，其特征在于，所述上半腔体由所述多层结构的下侧面围成，所述多层结构与所述上半腔体对应的部分包括顶壁和第二侧壁围成，所述第二侧壁为由所述顶壁边缘延伸至所述衬底上表面的第二圆滑曲面；

所述第二圆滑曲面包括圆滑过渡连接的第三曲面和第四曲面。