[发明专利]薄膜体声谐振器和半导体器件

权利要求书

1.一种薄膜体声谐振器，其特征在于，包括：

衬底；

多层结构，形成于所述衬底上，所述多层结构由下至上依次包括下电极层、压电层、上电极层和多个横向特征，所述多个横向特征包括多个台阶结构，所述多个台阶结构具有不同的宽度且连续地堆叠在所述上电极层上；

其中，在所述衬底和所述多层结构之间形成有腔体，所述腔体包括位于所述衬底上表面之下的下半腔体和超出所述衬底上表面并向所述多层结构突出的上半腔体；

所述下半腔体由底壁和第一侧壁围成，所述底壁整体与所述衬底表面平行，所述第一侧壁为由所述底壁边缘延伸至所述衬底上表面的第一圆滑曲面；所述第一圆滑曲面包括圆滑过渡连接的第一曲面和第二曲面；

所述上半腔体包括顶壁和第二侧壁，所述第二侧壁为由所述顶壁边缘延伸至所述衬底上表面的第二圆滑曲面；所述第二圆滑曲面包括圆滑过渡连接的第三曲面和第四曲面。

2.根据权利要求1所述的薄膜体声谐振器，其特征在于，所述多个横向特征包括位于所述上电极层的外部区域的外部多界面架构样式，所述外部多界面架构样式包括所述多个台阶结构。

3.根据权利要求2所述的薄膜体声谐振器，其特征在于，所述外部多界面架构样式被配置为反射在所述薄膜体声谐振器中激发的厚度延伸传播模式的至少一部分，增加所述薄膜体声谐振器的并联电阻。

4.根据权利要求2所述的薄膜体声谐振器，其特征在于，所述多个台阶结构的至少一个台阶结构由介电材料形成。

5.根据权利要求2所述的薄膜体声谐振器，其特征在于，所述多个台阶结构的至少一个台阶结构具有与所述多个台阶结构中的至少一个其他台阶结构的边缘不平行的边缘。

6.根据权利要求2所述的薄膜体声谐振器，其特征在于，所述外部多界面架构样式沿着所述上电极层的一个边缘包括与沿着所述上电极层的不同边缘相比数目不同的台阶结构。

7.根据权利要求2所述的薄膜体声谐振器，其特征在于，所述台阶结构的各个的宽度是在所述薄膜体声谐振器的谐振频率处激发的传播本征模式的四分之一波长的奇整数倍。

8.根据权利要求1所述的薄膜体声谐振器，其特征在于，所述多个横向特征包括位于所述上电极层的中心区域的内部多界面架构样式，所述内部多界面架构样式包括多个台阶结构。

9.根据权利要求8所述的薄膜体声谐振器，其特征在于，所述多个台阶结构的至少一个台阶结构由介电材料形成。

10.根据权利要求8所述的薄膜体声谐振器，其特征在于，所述多个台阶结构的至少一个台阶结构具有与所述多个台阶结构中的至少一个其他台阶结构的边缘不平行的边缘。

11.根据权利要求8所述的薄膜体声谐振器，其特征在于，所述内部多界面架构样式被配置成抑制厚度延伸传播横向声模式的至少一部分，减小所述薄膜体声谐振器的串联电阻。