[发明专利]谐振器及滤波器有效
申请号: | 201910328545.8 | 申请日: | 2019-04-23 |
公开(公告)号: | CN110868173B | 公开(公告)日: | 2023-08-15 |
发明(设计)人: | 李亮;李宏军;吕鑫;梁东升;刘青林;马杰;高渊;丁现朋;冯利东;崔玉兴;张力江;刘相伍;杨志;商庆杰;钱丽勋;李丽;卜爱民;王强;付兴昌 | 申请(专利权)人: | 中国电子科技集团公司第十三研究所 |
主分类号: | H03H3/02 | 分类号: | H03H3/02;H03H9/02;H03H9/17;H03H9/54 |
代理公司: | 石家庄国为知识产权事务所 13120 | 代理人: | 付晓娣 |
地址: | 050051 *** | 国省代码: | 河北;13 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 谐振器 滤波器 | ||
1.一种谐振器,其特征在于,包括:
衬底;
下电极层,设置在所述衬底上;
上电极层,设置在所述下电极层的上方;
其中,所述下电极层和所述上电极层的重叠区域界定为有效区域;
压电层,设置在所述下电极层和上电极层之间;
设置在所述下电极层或所述上电极层的表面上的环;所述环内的区域具有第一声阻抗,所述环对应的区域具有第二声阻抗,所述环外的区域具有第三声阻抗,且所述第二声阻抗大于所述第一声阻抗和所述第三声阻抗;
其中,在所述衬底和多层结构之间形成有腔体,所述腔体包括位于所述衬底上表面之下的下半腔体和超出所述衬底上表面并向所述多层结构突出的上半腔体;所述多层结构包括所述压电层、所述下电极层、所述上电极层和所述环;
所述下半腔体由底壁和第一侧壁围成,所述底壁整体与所述衬底表面平行,所述第一侧壁为由所述底壁边缘延伸至所述衬底上表面的第一圆滑曲面;所述第一圆滑曲面各点的曲率小于第一预设值;
所述第一圆滑曲面包括圆滑过渡连接的第一曲面和第二曲面;所述第一曲面的竖截面呈倒抛物线状,且位于所述底壁所在的平面之上;所述第二曲面的竖截面呈抛物线状,且位于所述衬底上表面所在的平面之下;
所述上半腔体由所述多层结构的下侧面围成,所述多层结构与所述上半腔体对应的部分包括顶壁和第二侧壁围成,所述第二侧壁为由所述顶壁边缘延伸至所述衬底上表面的第二圆滑曲面;所述第二圆滑曲面各点的曲率小于第二预设值;
所述第二圆滑曲面包括圆滑过渡连接的第三曲面和第四曲面;所述第三曲面的竖截面呈抛物线状,且位于所述顶壁所在的平面之下;所述第四曲面的竖截面呈倒抛物线状,且位于所述衬底上表面所在的平面之上。
2.根据权利要求1所述的谐振器,其特征在于,所述环沿所述上电极层的外围定位。
3.根据权利要求1所述的谐振器,其特征在于,所述环位于所述下电极层内,并与所述上电极层的外围相对。
4.根据权利要求1所述的谐振器,其特征在于,所述环集成在所述上电极层或所述下电极层内。
5.根据权利要求1所述的谐振器,其特征在于,所述下电极层或所述上电极层具有第一比重,所述环具有大于所述第一比重的第二比重;
所述下电极层或所述上电极层具有第一比重,所述环具有小于所述第一比重的第二比重。
6.一种滤波器,其特征在于,包括权利要求1至5任一项所述的谐振器。
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