[发明专利]声学谐振器和滤波器

权利要求书

1.一种声学谐振器，其特征在于，包括：

衬底；

多层结构，形成于所述衬底上，所述多层结构由下至上依次包括下电极层、压电层和上电极层；以及

桥部，其与所述多层结构的末端相邻，且与所述上电极层的一部分重叠，

其中，在所述衬底和所述多层结构之间形成有腔体，所述腔体包括位于所述衬底上表面之下的下半腔体和超出所述衬底上表面并向所述多层结构突出的上半腔体；

所述下半腔体由底壁和第一侧壁围成，所述底壁整体与所述衬底表面平行，所述第一侧壁为由所述底壁边缘延伸至所述衬底上表面的第一圆滑曲面；所述第一圆滑曲面包括圆滑过渡连接的第一曲面和第二曲面；所述第一曲面的竖截面呈倒抛物线状，且位于所述底壁所在的平面之上；所述第二曲面的竖截面呈抛物线状，且位于所述衬底上表面所在的平面之下；

所述上半腔体由所述多层结构的下侧面围成，所述多层结构与所述上半腔体对应的部分包括顶壁和第二侧壁围成，所述第二侧壁为由所述顶壁边缘延伸至所述衬底上表面的第二圆滑曲面；所述第二圆滑曲面包括圆滑过渡连接的第三曲面和第四曲面；所述第三曲面的竖截面呈抛物线状，且位于所述顶壁所在的平面之下；所述第四曲面的竖截面呈倒抛物线状，且位于所述衬底上表面所在的平面之上；

在与所述声学谐振器的所述多层结构的末端相邻的位置处，所述压电层包括具有缺陷的过渡部，所述上电极层不与所述过渡部相接触。

2.如权利要求1所述的声学谐振器，其特征在于：还包括与所述上电极层的多个边中的一个边电连接的连接部，其中，所述桥部设置在所述连接部与所述上电极层的所述一个边之间。

3.如权利要求1所述的声学谐振器，其特征在于：所述桥部包括间隙。

4.如权利要求3所述的声学谐振器，其特征在于：所述间隙包括所述上电极层与所述压电层之间的区域。

5.如权利要求3所述的声学谐振器，其特征在于：所述过渡部设置在所述间隙的区域下方。

6.如权利要求1所述的声学谐振器，其特征在于：所述顶壁无突变部分。

7.一种半导体器件，其特征在于：包括权利要求1至6任一项所述的谐振器。