[发明专利]一种碳化硅单晶生长装置

权利要求书

1.一种碳化硅单晶生长装置，其特征在于：包括工作腔体、可升降的穿设于所述工作腔体中的连接杆、用于驱动所述连接杆升降的第一驱动机构、设于所述工作腔体中的坩埚和用于为所述坩埚加热的加热机构；

所述坩埚包括固设于所述连接杆底部的坩埚盖、可拆卸的连接在所述坩埚盖下方的坩埚本体；

所述连接杆包括杆本体、开设于所述杆本体上的用于通入通出冷媒的第一通道、开设于所述杆本体上的用于通入工艺气体的第二通道；所述第一通道与所述第二通道相互隔断，所述第二通道与所述工作腔体连通；所述连接杆，用于通过所述冷媒和/或所述工艺气体为所述坩埚盖降温；

所述工作腔体还包括出气口。

2.根据权利要求1所述的一种碳化硅单晶生长装置，其特征在于：所述第一通道为环形腔体，所述环形腔体的上端开设有进料口和出料口。

3.根据权利要求2所述的一种碳化硅单晶生长装置，其特征在于：所述第二通道为柱形腔体，所述柱形腔体的底端侧部开设有与所述工作腔体连通的工艺气孔。

4.根据权利要求3所述的一种碳化硅单晶生长装置，其特征在于：所述连接杆、所述环形腔体、所述柱形腔体均同轴延伸。

5.根据权利要求3所述的一种碳化硅单晶生长装置，其特征在于：所述工艺气孔有多个，多个所述工艺气孔间隔均匀的沿圆周方向环绕排列。

6.根据权利要求3所述的一种碳化硅单晶生长装置，其特征在于：所述坩埚盖设于所述柱形腔体的底端，所述装置还包括用于沿所述柱形腔体的轴心线方向测量所述坩埚盖温度的红外测温计。

7.根据权利要求1所述的一种碳化硅单晶生长装置，其特征在于：所述连接杆可绕自身轴心线方向转动的穿设于所述工作腔体中，所述装置还包括用于驱动所述连接杆转动的第二驱动机构。

8.根据权利要求1所述的一种碳化硅单晶生长装置，其特征在于：所述加热机构包括环设于所述坩埚外侧周部的加热筒体、套设于所述加热筒体外侧周部且开口向上的保温罩，所述加热筒体的加热温度从上往下逐渐增大。

9.根据权利要求8所述的一种碳化硅单晶生长装置，其特征在于：所述加热筒体与所述坩埚同轴延伸。

10.根据权利要求1所述的一种碳化硅单晶生长装置，其特征在于：所述连接杆与所述坩埚盖相互导热，所述坩埚盖与所述坩埚本体相互隔热。