[发明专利]薄膜体声波谐振器和滤波器

权利要求书

1.一种薄膜体声波谐振器，其特征在于，包括：

衬底；

多层结构，形成于所述衬底上，所述多层结构由下至上依次包括下电极层、压电层和上电极层，所述压电层包括掺杂多种稀土元素的压电材料；

其中，在所述衬底和所述多层结构之间形成有腔体，所述腔体包括位于所述衬底上表面之下的下半腔体和超出所述衬底上表面并向所述多层结构突出的上半腔体；

所述下半腔体由底壁和第一侧壁围成，所述底壁整体与所述衬底表面平行，所述第一侧壁为由所述底壁边缘延伸至所述衬底上表面的第一圆滑曲面；所述第一圆滑曲面包括圆滑过渡连接的第一曲面和第二曲面；所述第一曲面的竖截面呈倒抛物线状，且位于所述底壁所在的平面之上；所述第二曲面的竖截面呈抛物线状，且位于所述衬底上表面所在的平面之下；

所述上半腔体由所述多层结构的下侧面围成，所述多层结构的下侧面与所述上半腔体对应的部分包括顶壁和第二侧壁，所述第二侧壁为由所述顶壁边缘延伸至所述衬底上表面的第二圆滑曲面；所述第二圆滑曲面包括圆滑过渡连接的第三曲面和第四曲面；所述第三曲面的竖截面呈抛物线状，且位于所述顶壁所在的平面之下；所述第四曲面的竖截面呈倒抛物线状，且位于所述衬底上表面所在的平面之上。

2.根据权利要求1所述的薄膜体声波谐振器，其特征在于，所述第一圆滑曲面各点的曲率小于第一预设值。

3.根据权利要求1所述的薄膜体声波谐振器，其特征在于，所述第二圆滑曲面各点的曲率小于第二预设值。

4.根据权利要求1至3任一项所述的薄膜体声波谐振器，其特征在于，所述顶壁无突变部分。

5.根据权利要求1所述的薄膜体声波谐振器，其特征在于，所述压电材料包括氮化铝。

6.根据权利要求5所述的薄膜体声波谐振器，其特征在于，所述稀土元素包括并入到所述氮化铝晶格内的至少两种稀土元素。

7.根据权利要求6所述的薄膜体声波谐振器，其特征在于，压电材料中每一种稀土元素的浓度小于10％。

8.根据权利要求7所述的薄膜体声波谐振器，其特征在于，压电材料中每一种稀土元素的浓度小于1％。

9.根据权利要求7所述的薄膜体声波谐振器，其特征在于，所述稀土元素包括钪及铒。

10.根据权利要求7所述的薄膜体声波谐振器，其特征在于，所述稀土元素进一步包括钇。

11.根据权利要求5所述的薄膜体声波谐振器，其特征在于，所述压电层通过使用包括氮的等离子体将来自包括铝及所述多种稀土元素的合金所形成的靶材溅镀在所述下电极层上方而提供。

12.一种半导体器件，其特征在于，包括权利要求1至11任一项所述的薄膜体声波谐振器。