[发明专利]一种III-VI族异质结光催化剂材料的制备方法

权利要求书

1.一种III-VI族异质结光催化剂材料的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：

1）以蓝宝石作为衬底并利用超声在不同溶液中清洗达到标准；

2）向管式炉（3）中的陶瓷舟上的蓝宝石加入0.01～0.03mol的Ga，向管式炉（1）中的陶瓷舟中加入0.015～0.03mol的Se或S；

3）转动阀门使管式炉（2）处于封闭状态，管式炉（1）和管式炉（3）连通，通入Ar保护气35min，并在35min内将管式炉（1）加热到450～750℃，管式炉（3）加热到960～1050℃，反应时间为20～24小时，然后冷却至室温；

4）步骤3）中在蓝宝石上沉积GaSe或GaS薄膜后，向管式炉（2）中加入0.02～0.04mol的In₂O₃粉末放入高温区的陶瓷舟中，然后将0.025～0.04mol的S或Se粉放入低温区的陶瓷舟；

5）转动阀门使管式炉（1）处于封闭状态，管式炉（2）和管式炉（3）连通，然后通入Ar气30min，且在30min内将管式炉（2）的高温区加热到850～900℃，低温区加热到450～750℃，管式炉（3）加热到850～900℃，加热10～12小时，充分反应并在GaSe或GaS薄膜之上生长InS或InSe，最后冷却至室温；

6）将蓝宝石取出，分别用蒸馏水以及无水乙醇洗涤去除杂质；

7）将步骤6）所得到的物质于60～80℃真空干燥5～6小时，即可得到InS/GaSe、InSe/GaSe或InS/GaS异质结光催化剂材料。

2.如权利要求1所述一种III-VI族异质结光催化剂材料的制备方法，其特征在于：步骤1）中清洗溶液先是用洗洁精，再是去离子水，最后用酒精。

3.如权利要求1所述一种III-VI族异质结光催化剂材料的制备方法，其特征在于：步骤2）中Ga、Se、S的纯度均达99.99%。

4. 如权利要求1所述一种III-VI族异质结光催化剂材料的制备方法，其特征在于：步骤3）Ar气流量为100 sccm。

5.一种III-VI族异质结光催化剂材料的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：

1）以蓝宝石作为衬底并利用超声在不同溶液中清洗达到标准；

2）向管式炉（3）中的陶瓷舟上的蓝宝石加入0.01～0.03mol的Ga，向管式炉（1）中的陶瓷舟中加入0.015～0.04mol的Se，向管式炉（2）中的陶瓷舟加入0.015～0.04mol的S粉；

3）转动阀门使管式炉（1）、管式炉（2）、管式炉（3）处于连通状态，通入Ar保护气35min，并在35min内将管式炉（1）加热到690～750℃，管式炉（2）加热到450～500℃，管式炉（3）加热到960～1050℃，反应时间为20～30小时，同时沉积GaS和GaSe薄膜，然后冷却至室温；

4）将蓝宝石取出，分别用蒸馏水以及无水乙醇洗涤去除杂质；

5）将步骤4）所得到的物质于60～80℃真空干燥4～6小时，即可得到GaS/GaSe异质结光催化剂材料。

6.如权利要求5所述一种III-VI族异质结光催化剂材料的制备方法，其特征在于：步骤1）中清洗溶液先是用洗洁精，再是去离子水，最后用酒精。

7.如权利要求5所述一种III-VI族异质结光催化剂材料的制备方法，其特征在于：步骤2）中Ga、Se、S的纯度均达99.99%。

8. 如权利要求5所述一种III-VI族异质结光催化剂材料的制备方法，其特征在于：步骤3）Ar气流量为100 sccm。