[发明专利]一种有机单晶阵列薄膜的制备方法有效
| 申请号： | 201910329579.9 | 申请日： | 2019-04-23 |
| 公开（公告）号： | CN110158152B | 公开（公告）日： | 2020-07-28 |
| 发明（设计）人： | 张秀娟;揭建胜;邓巍;王伟 | 申请（专利权）人： | 苏州大学 |
| 主分类号： | H01L51/56 | 分类号： | H01L51/56;H01L51/05;C30B29/54;C30B7/06 |
| 代理公司： | 北京智汇东方知识产权代理事务所(普通合伙) 11391 | 代理人： | 薛峰;康正德 |
| 地址： | 215123 江苏省苏州市工业园区仁*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 有机 阵列 薄膜 制备 方法 | ||
1.一种有机单晶阵列薄膜的制备方法，其特征在于，包括：
在氧化硅基底上施加聚合物绝缘材料；
将所述氧化硅基底放置在加热装置上，并在70-100℃下进行加热；
向所述氧化硅基底滴加预先配置的混合溶液直至覆盖整个所述氧化硅基底，所述混合溶液为有机半导体小分子材料、有机聚合物以及挥发性有机溶剂的溶液，其中，所述有机半导体小分子材料和所述有机聚合物在所述挥发性有机溶剂中均可溶；
待所述混合溶液在所述氧化硅基底上的液面开始收缩时，将气流均匀地吹向所述混合溶液的所述液面的边缘，以推动所述混合溶液在三相接触线附近成核结晶，从而在所述氧化硅基底上获得有机单晶阵列薄膜。
2.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述挥发性有机溶剂选择为沸点在范围在150-200℃的有机溶剂。
3.根据权利要求2所述的制备方法，其特征在于，所述有机溶剂为1,2-二氯苯、二甲苯、苄醇或环己酮。
4.根据权利要求2所述的制备方法，其特征在于，所述有机半导体小分子材料以及所述有机聚合物的浓度比为1:1-2。
5.根据权利要求1-4中任一项所述的制备方法，其特征在于，所述有机半导体小分子材料为烷基链取代的二苯并二噻吩系列化合物；
所述有机聚合物为聚丙烯酰胺、聚甲基丙烯酸甲酯或聚苯乙烯。
6.根据权利要求1-4中任一项所述的制备方法，其特征在于，所述聚合物绝缘材料为聚苯乙烯。
7.根据权利要求6所述的制备方法，其特征在于，所述聚合物绝缘材料的厚度范围为250-350nm。
8.根据权利要求1-4和7中任一项所述的制备方法，其特征在于，所述有机单晶阵列薄膜的面积稍小于或等于所述氧化硅基底的面积。
9.根据权利要求1-4和7中任一项所述的制备方法，其特征在于，所述混合溶液在三相接触线附近成核结晶的时间为8-15s。
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